[发明专利]用于沟槽器件的集成的栅流道和场植入终端

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，所述多个沟槽MOSFET器件形成在基板的外延层内；

栅流道沟槽，所述栅流道沟槽布置在所述多个沟槽MOSFET器件周围并布置在所述外延层内；以及

漂浮场植入部，所述漂浮场植入部通过阱植入部限定并且布置在所述栅流道沟槽周围。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述漂浮场植入部通过第一阱植入部限定，

所述装置还包括：

通过第二阱植入部限定的漂浮场植入部，所述通过第二阱植入部限定的漂浮场植入部布置在所述栅流道沟槽周围并且布置在通过第一阱植入部限定的漂浮场植入部周围。

3.根据权利要求1所述的装置，还包括：

多晶硅材料，所述多晶硅材料布置在所述栅流道内并且具有凹入部分；以及

金属材料，所述金属材料布置在所述多晶硅材料的所述凹入部分内。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述栅流道沟槽是第一栅流道沟槽，

所述装置还包括： 

第二栅流道沟槽，所述第二栅流道沟槽布置在所述多个沟槽MOSFET器件周围；以及

金属材料，布置在所述第一栅流道沟槽和第二栅流道沟槽的上方。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述栅流道沟槽是第一栅流道沟槽，

所述装置还包括：

第二栅流道沟槽，所述第二栅流道沟槽布置在所述多个沟槽MOSFET器件周围；以及

金属材料，所述金属材料被构造为电耦接布置在所述第一栅流道沟槽内的导电材料以及布置在所述第二栅流道沟槽内的导电材料。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述栅流道沟槽和所述漂浮场植入部共同用作用于来自所述多个沟槽MOSFET器件的边缘沟槽MOSFET器件的终端。

7.根据权利要求1所述的装置，还包括：

栅电极，所述栅电极耦接至来自所述多个MOSFET器件的沟槽MOSFET器件；以及

导电材料，所述导电材料布置在所述栅流道沟槽内，并且电耦接至所述栅电极。

8.一种装置，该装置包括：

多个沟槽半导体器件，所述多个沟槽半导体器件形成在基板的外延层内； 

栅流道沟槽，所述栅流道沟槽布置在所述多个沟槽半导体器件周围并且布置在所述外延层内；以及

多晶硅材料，所述多晶硅材料布置在所述栅流道沟槽内并且具有凹入部分。

9.根据权利要求8所述的装置，还包括：

金属材料，所述金属材料布置在所述多晶硅材料的所述凹入部分内，所述金属材料限定栅流道。

10.根据权利要求8所述的装置，还包括：

漂浮场植入部，所述漂浮场植入部通过阱植入部限定并且布置在所述漂栅流道沟槽周围。

11.根据权利要求8所述的装置，还包括：

多个漂浮场植入部，每个所述漂浮场植入部通过阱植入部限定并且每个所述漂浮场植入部布置在所述栅流道沟槽周围。

12.根据权利要求8所述的装置，其中，所述栅流道沟槽是第一栅流道沟槽，

所述装置还包括：

第二栅流道沟槽，所述第二栅流道沟槽布置在所述多个沟槽半导体器件周围；以及

金属材料，布置在所述第一栅流道沟槽和第二栅流道沟槽的上方。

13.根据权利要求8所述的装置，还包括：

器件沟槽，所述器件沟槽包含在来自所述多个沟槽MOSFET器件的一个沟槽MOSFET器件中，所述器件沟槽具有与所述栅流道沟 槽的深度不同的深度或者与所述栅流道沟槽的宽度不同的宽度中的至少一个。

14.根据权利要求8所述的装置，还包括：

漂浮场植入部，所述漂浮场植入部限定在所述外延层内并且布置在所述栅流道沟槽周围，所述漂浮场植入部具有与所述多个沟槽半导体器件中的至少一个的掺杂剂浓度不同的掺杂剂浓度。