[发明专利]发光显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210402917.5 申请日: 2007-06-07
公开(公告)号: CN102903734A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 藤冈弘文;小泽信夫 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光显示器,包括:

驱动元件和电连接至所述驱动元件的第一配线层(15B),

该显示器包括:

第一电极(18A),位于所述第一配线层(15B)之上;

发光部分(19),形成在所述第一电极(18A)之上;

第二电极(20),由一材料形成并布置在所述发光部分(19)之上;以及

其中配线层(18B)形成为与所述第一电极(18A)相同的层,以及

所述配线层(18B)电连接到所述第一配线层(15B)。

2.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述材料(20)允许来自所述发光部分的光穿过。

3.根据权利要求1所述的发光显示器,还包括

所述第二电极(20)公共地布置在所述发光部分(19)上。

4.根据权利要求1所述的发光显示器,还包括

所述第二电极(20)的一部分与导电接触层(23)直接接触。

5.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述第一配线层(15B)通过图案化一个导电层而形成。

6.根据权利要求4所述的发光显示器,其中

所述导电层(23)是多层膜,

所述多层膜包括:

低蚀刻选择性膜,在所述多层膜的至少最上层,以及

高蚀刻选择性膜,在所述低蚀刻选择性膜的下层。

7.根据权利要求6所述的发光显示器,

所述多层膜(23)包括:

低蚀刻选择性膜,由相对于所述第一电极具有相对低的蚀刻选择性的材料制成,以及

高蚀刻选择性膜,由相对于所述第一电极具有相对高的蚀刻选择性的材料制成。

8.根据权利要求7所述的发光显示器,

所述导电接触层中的所述低蚀刻选择性膜被部分地移除。

9.根据权利要求1所述的发光显示器,

所述配线层(18B)在锥形的侧壁上。

10.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述第一配线层(15B)的电阻小于所述第二电极(20)的电阻。

11.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述第一配线层(15B)具有一上层(15B3)。

12.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述配线层(18A)为Ti、TiN、W、Cr、Au、Pt、Cu、ITO、IZO、Ag或它们的混合材料。

13.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述配线层(18A)是顶层为Ti的多层。

14.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述配线层(18A)为Al、AlNd、AlCe。

15.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述第二电极(20)为ITO、IZO、MgAg、Cu、Ag、Al。

16.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述第二电极(20)和所述第一配线层(15B)彼此部分连接。

17.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

所述第二电极(20)和所述第一配线层(15B)通过所述导电接触层彼此部分连接。

18.根据权利要求4所述的发光显示器,还包括

所述导电接触层(23)将所述第二电极(20)和所述第一配线层(15B)电连接。

19.根据权利要求1所述的发光显示器,还包括

所述第一配线层(15B)的一部分位于所述第二电极(20)之上且与所述第二电极(20)直接接触。

20.根据权利要求1所述的发光显示器,其中

保护层(17B)形成在所述导电层(23)之上。

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