[发明专利]发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210402917.5 | 申请日: | 2007-06-07 |
公开(公告)号: | CN102903734A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 藤冈弘文;小泽信夫 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光显示器,包括:
驱动元件和电连接至所述驱动元件的第一配线层(15B),
该显示器包括:
第一电极(18A),位于所述第一配线层(15B)之上;
发光部分(19),形成在所述第一电极(18A)之上;
第二电极(20),由一材料形成并布置在所述发光部分(19)之上;以及
其中配线层(18B)形成为与所述第一电极(18A)相同的层,以及
所述配线层(18B)电连接到所述第一配线层(15B)。
2.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述材料(20)允许来自所述发光部分的光穿过。
3.根据权利要求1所述的发光显示器,还包括
所述第二电极(20)公共地布置在所述发光部分(19)上。
4.根据权利要求1所述的发光显示器,还包括
所述第二电极(20)的一部分与导电接触层(23)直接接触。
5.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述第一配线层(15B)通过图案化一个导电层而形成。
6.根据权利要求4所述的发光显示器,其中
所述导电层(23)是多层膜,
所述多层膜包括:
低蚀刻选择性膜,在所述多层膜的至少最上层,以及
高蚀刻选择性膜,在所述低蚀刻选择性膜的下层。
7.根据权利要求6所述的发光显示器,
所述多层膜(23)包括:
低蚀刻选择性膜,由相对于所述第一电极具有相对低的蚀刻选择性的材料制成,以及
高蚀刻选择性膜,由相对于所述第一电极具有相对高的蚀刻选择性的材料制成。
8.根据权利要求7所述的发光显示器,
所述导电接触层中的所述低蚀刻选择性膜被部分地移除。
9.根据权利要求1所述的发光显示器,
所述配线层(18B)在锥形的侧壁上。
10.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述第一配线层(15B)的电阻小于所述第二电极(20)的电阻。
11.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述第一配线层(15B)具有一上层(15B3)。
12.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述配线层(18A)为Ti、TiN、W、Cr、Au、Pt、Cu、ITO、IZO、Ag或它们的混合材料。
13.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述配线层(18A)是顶层为Ti的多层。
14.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述配线层(18A)为Al、AlNd、AlCe。
15.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述第二电极(20)为ITO、IZO、MgAg、Cu、Ag、Al。
16.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述第二电极(20)和所述第一配线层(15B)彼此部分连接。
17.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
所述第二电极(20)和所述第一配线层(15B)通过所述导电接触层彼此部分连接。
18.根据权利要求4所述的发光显示器,还包括
所述导电接触层(23)将所述第二电极(20)和所述第一配线层(15B)电连接。
19.根据权利要求1所述的发光显示器,还包括
所述第一配线层(15B)的一部分位于所述第二电极(20)之上且与所述第二电极(20)直接接触。
20.根据权利要求1所述的发光显示器,其中
保护层(17B)形成在所述导电层(23)之上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的