[发明专利]发光二极管光电特性量测装置

说明书

技术领域

本发明揭露一发光二极管光电特性的量测装置，特别是关于一种量测一晶圆型式(wafer form)或晶粒型式(chip form)发光二极管光电特性的装置。

背景技术

积分球是一个中空球体单元，球体上可依需求开设数量不等的光输入孔及光输出孔，球体内壁为具有漫射及反射性质的涂层。当待测的发光二极管所产生的光通量从光输入口射入积分球，经过积分球体内壁复杂的漫射及反射后，依内壁涂层的材料决定被积分球体内壁吸收的光通量，其余从光输出口射出。积分球的作用就是收集此种由四面八方反射的光通量，通过特殊的设计，可取样光输出口处的光功率、光波形和光通量，换算后即可得到发光二极管的相应参数。

目前业界使用量测发光二极管的光功率等参数的商用设备IS(instrument system)，其所使用的积分球直径至少为10英寸，并具有一试片座2(其示意图如图2所示)直接固定于积分球的光输入口(图未示)，其设计只适用于发光二极管封装体的量测。将待测的发光二极管TO封装体61的接脚62直接插入试片座本体60，试片座本体60底端连接电源供应器(图未示)以提供电流或电压使得待测的发光二极管TO封装体61产生的光通量射入积分球体内。

发明内容

本发明提供一发光二极管光电特性的量测装置，包括：一容器，此容器具有一光输入口及一光输出口；一量测模块，此量测模块与容器的光输出口连接；一试片承载台，位于容器下方且可承载待测的发光二极管，其中试片承载台表面具有相对于待测发光二极管所产生的光通量大于50%的反射率；及一光聚集单元，位于容器与试片承载台之间，其中光聚集单元内壁具有相对于待测发光二极管所产生的光通量大于50%的反射率。

根据本发明的一个实施例，其中试片承载台包括一承载体及形成于承载体之上的一薄层，且此薄层是由对待测发光二极管所产生的光通量具有大于50%反射率的材料所组成。

根据本发明的一个实施例，其中光聚集单元包括一本体及形成于本体内壁的一薄层，且此薄层是由对待测发光二极管所产生的光通量具有大于50%反射率的材料所组成。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1所示为本发明发光二极管光电特性量测装置的结构图。

图2所示为目前业界使用的商用设备IS(instrument system)试片座的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

图1所示为本发明所揭示的发光二极管光电特性量测装置，其包括：一容器10，例如为一中空球体单元，具有一光输入口10A及一光输出口10B；一量测模块11，此量测模块11与容器10的光输出口10B连接；一试片承载台12，位于容器10的下方且可承载待测的发光二极管13；一光聚集单元14，位于容器10与试片承载台12之间；及一电源供应器15，位于试片承载台12之下。