[发明专利]CMOS制造方法

权利要求书

1.一种CMOS制造方法，包括：

在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成栅极堆叠结构；

在栅极堆叠结构周围形成栅极侧墙；

在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成第一源漏抬升区；

选择性刻蚀PMOS区域衬底，在栅极侧墙两侧形成源漏沟槽；

在源漏沟槽中形成第二源漏抬升区。

2.如权利要求1的方法，其中，栅极堆叠结构是假栅极堆叠结构，包括垫氧化层和假栅极材料层，假栅极材料层包括多晶硅、非晶硅、微晶硅、非晶锗及其组合。

3.如权利要求1的方法，其中，选择性外延生长以形成第一源漏抬升区和/或第二源漏抬升区。

4.如权利要求1的方法，其中，选择性刻蚀PMOS区域衬底的步骤进一步包括：

形成保护层，覆盖NMOS区域的第一源漏抬升区，而暴露PMOS区域；

刻蚀PMOS区域暴露的第一源漏抬升区以及衬底，形成源漏沟槽。

5.如权利要求1的方法，其中，源漏沟槽的剖面形态包括矩形、梯形、倒梯形、Σ形、D形、C形及其组合。

6.如权利要求1的方法，其中，形成第二源漏抬升区之后还包括形成盖层。

7.如权利要求1的方法，其中，第一源漏抬升区包括Si、Si：C。

8.如权利要求1的方法，其中，第二源漏抬升区包括SiGe、SiGe：C。

9.如权利要求6的方法，其中，盖层包括Si。

10.如权利要求4的方法，其中，保护层包括氮化硅、氧化硅及其组合。