[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种用于离子注入装置的离子注入方法，所述离子注入装置配置为将从离子源提取的离子束经由真空束线室传送至与真空束线的末端开口连通的真空处理室、并且将所述离子束注入至所述真空处理室内的晶片中，

其中，在向所述晶片中注入离子的过程中，测量离子束电流，并且获得根据在所述真空束线室或所述真空处理室内操作的结构的位置变化而发生变化的真空流导的变化，另外，利用安装在所述真空束线室或所述真空处理室内的真空计检测一个或多个地点处的真空度的变化，并且

利用所获得的注入离子的过程中的所述真空流导的变化和所检测的一个或多个地点处的真空度来校正离子束电流的量，并根据校正的离子束电流的量控制注入至所述晶片中的剂量，

所述结构包括晶片和为了机械地移动所述晶片而安装在所述真空处理室内的晶片扫描体，

预先获得作为晶片扫描方向上所述晶片扫描体的位置的函数的所述真空流导的变化，并且根据在离子注入过程中出现的所述晶片扫描体的所述位置的变化来获得注入离子的过程中的所述真空流导的变化。

2.根据权利要求1所述的离子注入方法，

其中，所述离子注入装置为如下离子注入装置：照射所述离子束以在所述真空束线室内在离子束扫描方向上的线路上进行扫描，并且在基本上垂直于所述离子束扫描方向的方向上机械地移动所述真空处理室内的所述晶片。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的离子注入方法，

其中，在所述真空束线室及所述真空处理室内安装多个真空计，

分别由多个真空计测量值来获得有意地且有规律地导入至所述离子注入装置内的一种或多种导入气体的分压值、及由于离子注入所致由所述晶片表面上的抗蚀剂膜附带产生的抗蚀剂引发气体的分压值，

分别计算所述一种或多种导入气体对所述离子束的效果以及所述抗蚀剂引发气体的效果，基于计算结果校正所述离子束电流的量，并控制注入至所述晶片中的所述剂量。

4.根据权利要求1所述的离子注入方法，

其中，在向所述晶片中注入离子之前，利用安装在所述离子注入装置内的真空计和质量流量计来获得有意地且有规律地导入至所述离子注入装置内的一种或多种导入气体的分压值，

利用所述真空计来获得由于离子注入所致由所述晶片表面上的抗蚀剂膜附带产生的抗蚀剂引发气体的分压值，并且

分别计算所述一种或多种导入气体对所述离子束的效果以及所述抗蚀剂引发气体的效果，基于计算结果校正所述离子束电流的量，并控制注入至所述晶片中的所述剂量。

5.根据权利要求4所述的离子注入方法，

其中，通过将所述晶片扫描体的所述位置设定在由于安装在所述真空处理室内的真空泵所致的所述真空流导为最大的位置处作为在所述晶片扫描方向上的所述晶片扫描体的所述位置，来获得在向所述晶片中注入离子之前所获得的有意地且有规律地导入至所述离子注入装置内的一种或多种导入气体的所述分压值，并且

分别计算在离子注入过程中进行的由所述晶片表面上的所述抗蚀剂膜附带产生的所述抗蚀剂引发气体的所述分压值的测量结果、所述一种或多种导入气体对所述离子束的所述效果以及所述抗蚀剂引发气体的所述效果，基于所述计算结果校正所述离子束电流的量，并控制注入至所述晶片中的所述剂量。

6.根据权利要求3所述的离子注入方法，

其中，除了所述一种或多种导入气体及由于离子注入所致由所述晶片表面上的所述抗蚀剂膜附带产生的所述抗蚀剂引发气体的影响以外，还监测到达所述晶片的离子束粒子数的变化，并且

在离子注入过程中所述粒子数发生变化的情况下，停止向所述晶片中进行所述离子注入。