[发明专利]存储器装置以及冗余方法有效
申请号: | 201210387036.0 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103489486A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 荒川贤一 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/24 | 分类号: | G11C29/24 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 以及 冗余 方法 | ||
1.一种存储器装置,其特征是,所述存储器装置包括:
至少一存储器;
一控制器,控制所述至少一存储器;以及
连接单元,连接至所述至少一存储器与所述控制器;
其中所述至少一存储器包括:
一存储器区域,包括多个存储元件;
一冗余存储器区域,包括多个存储元件;以及
冗余信息存储部,存储用于所述存储器区域的存储元件的冗余信息;
其中所述控制器包括:
控制部,根据所述冗余信息存储部所存储的所述冗余信息,控制从所述至少一存储器读出的数据以及写入至所述至少一存储器的数据。
2.如权利要求1所示的存储器装置,其特征是,所述控制部包括:
请求部,对所述至少一存储器请求传送所述冗余信息;
冗余信息存放部,存放所传送来的所述冗余信息;以及
栏控制部,根据所存放的所述冗余信息,对从所述至少一存储器读出的数据以及写入至所述至少一存储器的数据进行栏控制。
3.如权利要求1所述的存储器装置,其特征是,所述冗余信息包括所述存储器区域中具有物理缺陷的存储元件的栏位址信息。
4.如权利要求1所述的存储器装置,其特征是,所述至少一存储器包括;
输出部,连续输出从所述存储器区域以及所述冗余存储器区域读出的数据;
其中所述控制器的所述控制部根据所述冗余信息,将从所述存储器区域中具有缺陷的存储元件读出的数据替换成从所述冗余存储器区域的存储元件读出的数据。
5.如权利要求4所述的存储器装置,其特征是,所述输出部包括:
数据存放部,存放透过所述存储器区域以及所述冗余存储器区域的各位元线所读出的数据;
其中所述输出部连续串列地输出所述数据存放部所存放的数据。
6.如权利要求1所述的存储器装置,其特征是,所述至少一存储器包括;
输入部,接收写入至所述存储器区域以及所述冗余存储器区域的数据;
其中所述控制器的所述控制部根据所述冗余信息,将写入至所述存储器区域中的具有缺陷的存储元件的数据替换成写入至所述冗余存储器区域的存储元件的数据。
7.如权利要求6所述的存储器装置,其特征是,所述输入部包括;
数据存放部,存放透过所述存储器区域以及所述冗余存储器区域的各位元线所写入的数据;
其中所述输入部被连续串列地输入从所述控制器来的写入数据,并将所输入的写入数据传送至所述数据存放部。
8.如权利要求2所述的存储器装置,其特征是,在输入电力至所述控制器时,所述请求部发出对所述至少一存储器请求传送所述冗余信息的命令。
9.如权利要求2所述的存储器装置,其特征是,所述冗余信息存放部为非挥发性存储器。
10.如权利要求1所述的存储器装置,其特征是,所述至少一存储器为由硅基板上的多个NAND串列所形成的快闪存储器晶片,所述控制器为形成于与所述快闪存储器晶片不同的硅基板上的控制器晶片,且所述快闪存储器晶片和所述控制器晶片为被模块化。
11.如权利要求1所述的存储器装置,其特征是,所述快闪存储器晶片和所述控制器晶片配置于一个封装内。
12.一种快闪存储器的存储器区域中的具有缺陷的存储器元件的冗余方法,其特征是,所述方法包括:
在输入电力至控制器时,传送快闪存储器所存储的与所述具有缺陷的存储器元件有关的冗余信息至所述控制器;以及
在对所述快闪存储器进行数据读出以及数据写入时,由所述控制器根据所述冗余信息控制所读出的数据以及待写入的数据。
13.如权利要求12所述的冗余方法,其特征是,所述控制器根据所述冗余信息将具有缺陷的存储器元件的数据替换成冗余用的存储元件的数据。
14.如权利要求12所述的冗余方法,其特征是,在所述快闪存储器中页面所读出的页面数据包括存储器区域的存储元件的数据以及冗余存储器区域的存储元件的数据,所述页面数据从数据暂存器连续读出并提供至所述控制器。
15.如权利要求12所述的冗余方法,其特征是,在对所述快闪存储器的写入动作中,该控制器根据所述冗余信息形成页面数据,并将所形成的页面数据传送至所述快闪存储器,其中所述快闪存储器将所述页面数据连续地输入数据暂存器,并透过各位元线将所输入的页面数据提供至存储器区域的存储元件以及冗余存储器区域的存储元件。
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