[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210382405.7 | 申请日: | 2012-10-09 |
公开(公告)号: | CN103715283A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 任宇航;沈凯;张进;任宇珂 | 申请(专利权)人: | 浙江尚颉光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 赵建刚 |
地址: | 311121 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:依次排列的基底、第一导电层、P型层、缓冲层、N型层、第二导电层和电极,其特征在于,所述P型层的材料为三碘化铯锡及其衍生化合物。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底的材料主要为玻璃、金属箔片、柔性有机聚合物、硅片或陶瓷片。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一导电层的材料主要为导电金属材料、氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡或铝掺杂的氧化锌;
所述第一导电层厚度为100纳米~2微米。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述P型层所用的材料主要为三碘化铯锡及其衍生化合物;
所述P型层的厚度为100纳米~2微米。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层所用的材料主要为硫化锌、硒化锌、硫化镉、硒化镉或氧化亚铜;
所述缓冲层的厚度为50纳米~100纳米。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述N型层所用的材料主要为金刚石、碳化硅、氮化镓、氧化锌或氧化钛;
所述N型层的厚度为100纳米~2微米。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二导电层所用的材料主要为氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡或铝掺杂的氧化锌;
所述第二导电层的厚度为100纳米~2微米。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述电极所用的材料主要为导电金属、氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡或铝掺杂的氧化锌;
所述电极的厚度为500纳米~2微米。
9.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
S1选取基底,所述基底的材料主要为玻璃、金属箔片、柔性有机聚合物、硅片或陶瓷片中;
S2,在所述基底上制备所述第一导电层,所述第一导电层的材料主要为导电金属材料、氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡或铝掺杂的氧化锌;
制备所述第一导电层的方法主要为真空热蒸发、溅射或化学溶胶-凝胶法;
S3,在所述第一导电层上制备P型层,所述P型层的材料主要为三碘化铯锡及其衍生化合物;
所述P型层的制备方法主要为电沉积法、化学水热法、化学水浴法、真空热蒸发法、溅射法、滴涂法、旋涂法或超声喷印法;
S4,在所述P型层上制备缓冲层,所述缓冲层的材料主要为金刚石、碳化硅、氮化镓、氧化锌或氧化钛;
所述缓冲层制备方法主要为电沉积法、化学水热法、化学水浴法、真空热蒸发法、溅射法、滴涂法、旋涂法或超声喷印法;
S5,在所述缓冲层上制备N型层,所述N型层的材料主要为金刚石、碳化硅、氮化镓、氧化锌或氧化钛;
所述N型层制备方法主要为电沉积法、真空热蒸发法、溅射法、滴涂法、溶胶-凝胶法、旋涂法或超声喷印法;
S6,在所述N型层上制备第二导电层,所述第二导电层的材料主要为氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡或铝掺杂的氧化锌;
所述第二导电层的制备方法主要为电沉积法、真空热蒸发法、溅射法、滴涂法、溶胶-凝胶法、旋涂法或超声喷印法;
S7,在所述第二导电层上制备电极,所述电极的材料主要为导电金属、氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡或铝掺杂的氧化锌;
所述电极的制备方法主要为真空热蒸发法、溅射法、丝网印刷法或化学溶胶-凝胶旋涂法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的