[发明专利]形成不同高度的多个鳍部的方法

权利要求书

1.一种形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，包括：

提供包括第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域的半导体衬底表面形成有第一初始鳍部，所述第二区域的半导体衬底表面形成有第二初始鳍部，所述半导体衬底表面还形成有绝缘层，所述第一初始鳍部和第二初始鳍部贯穿绝缘层厚度，且两者高度相同；

形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第一初始鳍部和第一区域的绝缘层表面，但暴露出第二区域的绝缘层表面；

以所述第一保护层为掩膜，刻蚀第二区域中部分厚度的绝缘层，使得第二初始鳍部比第一初始鳍部高出指定高度；

刻蚀第二区域的绝缘层后，去除第一保护层，并形成覆盖所述第一初始鳍部和第二初始鳍部的第二保护层；

以所述第二保护层为掩膜，刻蚀所述绝缘层，并以所述第二保护层为掩膜，向暴露出的第一初始鳍部和第二初始鳍部内注入氧离子；

对注入了氧离子的第一初始鳍部、第二初始鳍部进行退火处理，形成隔离层、位于第一区域的隔离层表面的第一鳍部以及位于第二区域的隔离层表面的第二鳍部，所述第二鳍部比第一鳍部高出所述指定高度。

2.如权利要求1所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，向暴露出的第一初始鳍部和第二初始鳍部内注入氧离子时，所述注入氧离子的方向与第一初始鳍部、第二初始鳍部的侧壁呈15度-30度的角。

3.如权利要求1所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，向暴露出的第一初始鳍部和第二初始鳍部内注入氧离子时，包括多次注入氧离子的步骤，且每注入完成一次，以半导体衬底的法线为旋转轴，将半导体衬底沿同一方向旋转10度-90度。

4.如权利要求3所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，共包括4次注入氧离子的步骤，且每注入完成一次，将半导体衬底在水平面沿同一方向旋转90度。

5.如权利要求1所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数为：退火温度为600摄氏度-1000摄氏度，退火时间为30分钟-90分钟。

6.如权利要求1所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅，其厚度为1500埃-3000埃。

7.如权利要求1所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述第一初始鳍部、第二初始鳍部的硬掩膜层，所述第一保护层覆盖第一区域的硬掩膜层表面。

8.如权利要求7所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，还包括：形成位于所述第一初始鳍部和硬掩膜层之间、以及第二初始鳍部和硬掩膜层之间的氧化层。

9.如权利要求1所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，所述第二保护层的厚度为100埃-500埃。

10.如权利要求1所述的形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为光刻胶，第二保护层的材料为氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。