[发明专利]分立栅存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有第一介质层、浮栅层、第二介质层及控制栅层；

刻蚀所述控制栅层和第二介质层形成控制栅结构，相邻两个控制栅结构之间的区域为擦除栅区，相邻两个控制栅结构与所述擦除栅区相对的一侧为字线区；

在所述控制栅结构周围形成第一侧墙；

形成第一侧墙后，去除位于字线区上的浮栅层；

去除位于字线区上的浮栅层后，在第一侧墙周围形成第二侧墙；

在所述第二侧墙周围形成牺牲侧墙；

形成牺牲侧墙后，去除位于擦除栅区的浮栅层，形成浮栅；

去除位于擦除栅区的所述牺牲侧墙，暴露出牺牲侧墙覆盖的浮栅部分；

形成隧穿介质层，覆盖暴露出的浮栅部分、擦除栅区的衬底、相邻两控制栅结构之间的第二侧墙，所述隧穿介质层的厚度小于牺牲侧墙的厚度；

在字线区形成字线，在擦除栅区形成擦除栅。

2.根据权利要求1所述分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述浮栅层和所述控制栅层的材料都为多晶硅。

3.根据权利要求1所述分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，第一侧墙包括氧化硅层和形成于所述氧化硅层上的氮化硅层。

4.根据权利要求1所述分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，第二侧墙包括氧化硅层和形成于所述氧化硅层上的氮化硅层。

5.根据权利要求1所述分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料为氧化硅或者聚合物。

6.根据权利要求1所述分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲侧墙后，还包括步骤：去除擦除栅区的第二侧墙。

7.根据权利要求1所述分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，形成第一侧墙后，去除位于字线区上的浮栅层之前还包括步骤：以所述第一侧墙为掩膜，对所述字线区的衬底进行离子注入，以进行字线区的阈值电压的调节。

8.根据权利要求1所述分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，形成所述隧穿介质层后，在字线区形成字线之前，还包括步骤：去除位于所述字线区的第一介质层。

9.根据权利要求8所述分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，去除位于所述字线区的第一介质层后，还包括在所述字线区的衬底上形成字线介质层。

10.一种分立栅存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的浮栅结构，位于所述浮栅结构上的控制栅结构和第一侧墙，所述第一侧墙位于所述控制栅结构周围；相邻两个控制栅结构之间的区域为擦除栅区；相邻两个控制栅结构与所述擦除栅区相对的一侧为字线区；所述浮栅结构包括浮栅介质层和位于浮栅介质层上的浮栅，所述控制栅结构包括控制栅介质层和位于控制栅介质层上的控制栅；

所述浮栅结构和所述第一侧墙周围具有第二侧墙，在擦除栅区一侧所述浮栅结构具有突出第二侧墙的凸台；

隧穿介质层，覆盖所述凸台、擦除栅区的衬底、相邻两控制栅结构之间的第二侧墙，所述遂穿介质层的厚度小于凸台的宽度；

位于所述字线区上的字线介质层及位于所述字线介质层上的字线；

位于所述擦除栅区上的覆盖所述遂穿介质层的擦除栅。

11.如权利要求10所述的分立栅存储器件，其特征在于，所述第一侧墙包括氧化硅层和形成于所述氧化硅层上的氮化硅层。

12.如权利要求10所述的分立栅存储器件，其特征在于，所述第二侧墙包括氧化硅层和形成于所述氧化硅层上的氮化硅层。