[发明专利]包括增加的热耗散能力的3D集成电子装置结构

权利要求书

1.一种设备，包括：

三维（3D）集成芯片组件，所述芯片组件包括：

装置衬底；

MEMS继电器，包括放置在所述装置衬底上的一个或多个发热元件；

盖层，在物理上接合到所述装置衬底；

放置在所述MEMS继电器周围的密封环，所述密封环为玻璃料；以及

气密密封，在所述MEMS继电器周围形成，所述气密密封至少部分由所述装置衬底和所述盖层来限定；

衬底，其中所述三维（3D）集成芯片组件倒装芯片接合到所述衬底，

其中，多个热量耗散路径通过所述三维（3D）集成芯片组件延伸，以耗散在其中生成的热量，并且所述热量耗散路径提供从所述MEMS继电器到其MEMS金属互连的连续热传导金属通路。

2.如权利要求1 所述的设备，还包括经由热界面材料（TIM）安置成接近所述三维（3D）集成芯片组件的散热器，用于有助于从所述设备耗散热量。

3.如权利要求1 所述的设备，其中，所述盖层还包括在其中形成的多个穿透晶圆通孔以及放置在其第一主表面之上的多个第一输入/输出触点和放置在其第二主表面之上的多个第二输入/输出触点，其中所述多个第二输入/输出触点通过所述多个穿透晶圆通孔电连接到所述多个第一输入/输出触点。

4.如权利要求1 所述的设备，其中，所述装置衬底还包括在其中形成的多个穿透晶圆通孔以及放置在其第一主表面之上的多个第一输入/输出触点，其中所述多个第二输入/输出触点通过所述多个穿透晶圆通孔电连接到所述MEMS继电器。

5.一种设备，包括：

MEMS 继电器装置，包括盖层、装置衬底、密封环和形成在所述MEMS继电器装置周围并且至少部分由所述盖层、所述装置衬底和所述密封环所限定的气密密封，其中所述密封环为玻璃料并且放置在所述MEMS继电器装置周围；以及

衬底，

其中所述MEMS 继电器装置配置成倒装芯片接合到所述衬底。

6.如权利要求5所述的设备，其中，所述盖层还包括在其中形成的多个穿透晶圆通孔以及放置在其第一主表面之上的多个第一输入/输出触点和放置在其第二主表面之上的多个第二输入/输出触点，其中所述多个第二输入/输出触点通过所述多个穿透晶圆通孔电连接到所述多个第一输入/输出触点，以及其中放置在所述盖层的所述第一主表面之上的所述多个第一输入/输出触点有助于耦合到所述盖层与其附连的所述衬底的多个输入/输出衬垫，以及其中放置在所述盖层的所述第二主表面之上的所述多个第二输入/输出触点有助于耦合到所述盖层也与其附连的所述装置衬底的多个输入/输出触点。

7.如权利要求5所述的设备，其中，所述装置衬底还包括在其中形成的多个穿透晶圆通孔以及放置在其第一主表面之上的多个第一输入/输出触点，其中所述多个第一输入/输出触点通过所述多个穿透晶圆通孔和多个热传导迹线电连接到所述MEMS继电器装置，并且其中放置在所述装置衬底的所述第一主表面之上的所述多个第一输入/输出触点有助于耦合到所述装置衬底与其附连的所述衬底的多个输入/输出衬垫。