[发明专利]固态图像传感器及其制造方法以及照相机

说明书

技术领域

本发明涉及固态图像传感器及其制造方法以及照相机。

背景技术

近年来，已经提出了具有导光部的固态图像传感器，以增加要入射到光电转换部分上的光。正如日本专利公开号2004-207433中所描述的，在其上形成光电二极管的半导体基底上由低压CVD（化学气相沉积）方法形成硅氮化物膜，在硅氮化物膜上形成层间绝缘膜，并且使用硅氮化物膜作为蚀刻终止层，蚀刻层间绝缘膜。通过蚀刻层间绝缘膜形成形成导光部所需的开口部分。此外，经由开口部分通过蚀刻硅氮化物膜，在硅氮化物膜中也形成开口部分。还有，正如日本专利公开号2004-207433中所描述的，由于作为蚀刻终止层的硅氮化物膜具有高的氢吸收效果，所以能够防止氢进入由硅氮化物膜所覆盖的部分（0019至0021、0030和0031段）。此外，在日本专利公开号2004-207433中所描述的结构中，每个光电二极管的上表面的部分区域（每个导光部的周围区域）由硅氮化物膜经由栅绝缘膜覆盖（0021段，图3（B））。

日本专利公开号2004-207433中所描述的硅氮化物膜用于防止氢进入该膜所覆盖的部分。因此，应当理解，硅氮化物膜是氢含量小的膜，也就是使用二氯磺酞（SiH₂Cl₂：后文将称为DCS）的由低压CVD方法形成的硅氮化物膜（后文将称为DCS-SiN）。当像素被DCS-SiN覆盖时，对每个光电转换部分的氢供给变得不足，并且自由键无法充分地封端。因此难以获得具有低暗电流的固态图像传感器。

另一方面，已经提出了通过等离子体增强CVD（PECVD）方法在每个光电转换部分上形成硅氮化物膜（后文将称为P-SiN）的方法，以增加对光电转换部分的氢供给量。不过，利用这种方法，由于在P-SiN形成之时基底遭受了等离子体损害，由P-SiN覆盖像素的结构可能增加光电转换部分的晶体缺陷。因此，这种方法不利于获得具有低暗电流的固态图像传感器。

发明内容

本发明提供了有利于减小固态图像传感器的暗电流的技术。

本发明的第一方面提供了具有光电转换部分的固态图像传感器的制造方法，所述方法包括：使用六氯乙硅烷(Si₂Cl₆)作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成硅氮化物膜，使得所述硅氮化物膜覆盖所述光电转换部分的至少一部分。

本发明的第二方面提供了具有光电转换部分的固态图像传感器，所述固态图像传感器包括：定位为覆盖所述光电转换部分的至少一部分的硅氮化物膜，所述硅氮化物膜使用六氯乙硅烷作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成。

本发明的第三方面提供了照相机，包括：如本发明的所述第二方面定义的固态图像传感器；以及用于处理从所述固态图像传感器输出的信号的处理单元。

参考附图从示例性实施例的以下说明，本发明的进一步特征将变得显而易见。

附图说明

图1A至1C是用于解释根据本发明的第一实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图；

图2A至2C是用于解释根据本发明的第一实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图；

图3A和3B是用于解释根据本发明的第一实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图；

图4是显示低压CVD装置的结构实例的视图；

图5是柱状图，显示HCD-SiN和DCS-SiN中Si-H和N-H键密度的分析结果；

图6A至6C是用于解释根据本发明的第二实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图；

图7A至7C是用于解释根据本发明的第二实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图；

图8A和8B是用于解释根据本发明的第二实施例的固态图像传感器及其制造方法的视图。

具体实施方式