[发明专利]配向膜、彩膜基板、阵列基板、液晶显示装置及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种配向膜、彩膜基板、阵列基板、液晶显示装置及制造方法。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称：TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。TFT-LCD是由多个构件组成的一个精密而复杂的器件。图13为现有技术中液晶显示装置的结构示意图，如图13所示，该液晶显示装置包括：相对设置的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶层10，彩膜基板和阵列基板之间还形成有隔垫物12，该隔垫物12用于支撑相对设置的彩膜基板和阵列基板。其中，该彩膜基板包括：彩膜基板结构4和形成于彩膜基板结构4之上的彩膜基板配向膜18，彩膜基板配向膜18位于液晶显示装置的显示区域(Active Area)和周边区域(Peripheral Area)；该阵列基板包括：阵列基板结构7和形成于阵列基板结构7之上的阵列基板配向膜19，阵列基板配向膜19位于液晶显示装置的显示区域和周边区域。在周边区域中，彩膜基板配向膜18和阵列基板配向膜19之间还形成有封框胶11。在液晶显示技术领域中，周边区域为显示区域与液晶显示装置边缘之间的区域，而将从显示区域到液晶显示装置边缘之间的距离称为封框胶涂布区域(Sealing Area)。例如：上述液晶显示装置可以为扭曲向列(Twisted Nematic，以下简称：TN)型液晶显示装置或者高级超维场转换(Advanced Super DimensionSwitch，以下简称：ADS)型液晶显示装置。

以液晶显示装置为TN型液晶显示装置为例，彩膜基板结构具体可包括：彩膜衬底基板、彩色矩阵、黑矩阵和公共电极，彩色矩阵和黑矩阵以矩阵形式形成于彩膜衬底基板上，且彩色矩阵设置于黑矩阵之间，公共电极形成于彩色矩阵和黑矩阵之上并覆盖彩膜衬底基板。其中，彩色矩阵形成于显示区域，黑矩阵形成于显示区域和周边区域，公共电极形成于显示区域和周边区域，则在周边区域中，彩膜基板配向膜18的下方形成有公共电极。换言之，彩膜基板结构可以包括彩膜基板中除彩膜基板配向膜18之外的其它所有组成结构。其中，阵列基板结构具体可包括：阵列衬底基板、栅线和数据线，栅线和数据线限定出像素区域，像素区域内部形成有像素电极，其中，栅线和数据线之间形成有绝缘层，数据线上方形成有钝化层，绝缘层和钝化层均覆盖整个阵列衬底基板，钝化层上形成有过孔，像素电极填充于过孔中以将数据线和像素电极电连接。其中，像素电极形成于显示区域，其余组成结构均形成于显示区域和周边区域，则在周边区域中，阵列基板配向膜19的下方形成有钝化层。换言之，阵列基板结构可以包括阵列基板中除阵列基板配向膜之外的其它所有组成结构。

窄边框(Narrow Bezel)是以后液晶显示装置的发展趋势，特别是对于小尺寸的平板电脑和手机用的液晶屏，对窄边框的要求越来越高，但是由于液晶显示装置周边制作工艺的限制，目前窄边框产品的设计状况还有很大的改进和提升空间。而窄边框设计的关键就是减小封框胶涂布区域的大小，目前TFT-LCD行业减小封框胶涂布区域主要是通过减小周边区域中配向膜的宽度、减小封框胶自身的胶宽、让封框胶与彩膜基板上的ITO(图中未示出)重叠一部分或者全部重叠、或者让封框胶与配向膜部分重叠等方法实现。周边区域的配向膜尺寸由于受到TFT-LCD产线工艺精度的限制，必须要大于一定的值以保证配向膜的制成质量，这就给通过减小配向膜的宽度来减小封框胶涂布区域造成一定的困难。因此，现有技术中通常通过让封框胶与配向膜部分重叠的方式来减小封框胶涂布区域的宽度。

图14为现有技术中封框胶与配向膜部分重叠的示意图，如图14所示，在该液晶显示装置中，封框胶11的一部分与彩膜基板配向膜18和阵列基板配向膜19重叠，另一部分与彩膜基板结构4和阵列基板结构7重叠。由于封框胶与配向膜之间的粘接力较弱，因此为了达到粘接力的要求，现有技术中仅能采取封框胶11部分与配向膜接触、部分与配向膜外侧的彩膜基板结构和阵列基板结构接触的方案，这极大的限制了封框胶与显示区域之间距离的减小，从而造成封框胶涂布区域的宽度较大。

发明内容

本发明提供一种配向膜、彩膜基板、阵列基板、液晶显示装置及制造方法，用以减小封框胶涂布区域的宽度。

为实现上述目的，本发明提供了一种配向膜，包括：配向膜中间部分和配向膜周边部分，所述配向膜中间部分形成于显示区域，所述配向膜周边部分形成于所述显示区域周边的周边区域，所述配向膜周边部分具有镂空结构。