[发明专利]RF开关电路、RF开关以及用于切换RF信号的方法有效

专利信息
申请号: 201210368257.3 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103036549A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: T.贝特纳;H.塔迪肯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H03K17/693 分类号: H03K17/693
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;卢江
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: rf 开关电路 开关 以及 用于 切换 信号 方法
【权利要求书】:

1.一种用于切换RF信号的RF开关电路,其中所述RF开关电路包括:

第一端子和第二端子;

在所述RF开关电路的第一端子与所述RF开关电路的第二端子之间的多个晶体管的串联连接;以及

控制电路,所述控制电路被配置来:在所述RF开关电路的高阻抗状态下,把所述RF开关电路的第一端子导电地耦合到在多个晶体管的串联连接的串中的第一晶体管的控制端子,并且把所述RF开关电路的第二端子导电地耦合到在多个晶体管的串联连接的串中的最后晶体管的控制端子。

2.根据权利要求1所述的RF开关电路,

其中,所述RF开关电路的第一端子被耦合到第一晶体管的第一端子,或者所述RF开关电路的第一端子由第一晶体管的第一端子形成,使得,在所述RF开关电路的高阻抗状态下,第一晶体管的控制端子和第一晶体管的第一端子被短路;并且

其中,所述RF开关电路的第二端子被耦合到最后晶体管的第二端子,或者所述RF开关电路的第二端子由最后晶体管的第二端子形成,使得,在所述RF开关电路的高阻抗状态下,最后晶体管的控制端子和最后晶体管的第二端子被短路。

3.根据权利要求1所述的RF开关电路,

其中,控制电路被配置来:在所述RF开关电路的高阻抗状态下,用正电源电势给第一晶体管的第二端子和最后晶体管的第一端子加偏压。

4.根据权利要求3所述的RF开关电路,

其中,控制电路进一步被配置来:在所述RF开关电路的高阻抗状态下,用正电源电势给被布置在第一晶体管与最后晶体管之间的串联连接中的多个晶体管的晶体管的第一端子和第二端子加偏压。

5.根据权利要求3所述的RF开关电路,

其中,控制电路被配置来:在所述RF开关电路的低阻抗状态下,把第一晶体管的第二端子和最后晶体管的第一端子带入不加偏压的状态。

6.根据权利要求5所述的RF开关电路,

其中,控制电路进一步被配置来:在所述RF开关电路的低阻抗状态下,把被布置在第一晶体管与最后晶体管之间的串联连接中的多个晶体管中的晶体管的第一端子和第二端子带入不加偏压的状态。

7.根据权利要求1所述的RF开关电路,

其中,在所述RF开关电路的高阻抗状态和所述RF开关电路的低阻抗状态下,多个晶体管的衬底的衬底端子被导电地耦合到所述RF开关电路的地端子,在所述地端子上提供地电势。

8.根据权利要求1所述的RF开关电路,

其中,控制电路被配置来:在所述RF开关电路的低阻抗状态下,使所述RF开关电路的第一端子与第一晶体管的控制端子导电地解耦,并且使RF开关电路的第二端子与最后晶体管的控制端子导电地解耦。

9.根据权利要求1所述的RF开关电路,

其中,控制电路被配置来:在所述RF开关电路的高阻抗状态下,将正偏压电势施加到第一晶体管的第二端子;并且

其中,正偏压电势被选择,使得在第一晶体管的第一端子上的最大RF信号电势与正偏压电势之间的差小于第一晶体管的阈值电压。

10.根据权利要求9所述的RF开关电路,

其中,控制电路进一步被配置来:在所述RF开关电路的高阻抗状态下,将正偏压电势施加到最后晶体管的第一端子,并且将其它偏压电势施加到第一晶体管的控制端子和施加到最后晶体管的控制端子;并且

其中,所述正偏压电势被选择,使得在正偏压电势和最后晶体管的第一端子上的最小RF信号电势之和与其它偏压电势之间的差小于最后晶体管的阈值电压。

11.根据权利要求10所述的RF开关电路,

其中,所述其它偏压电势是地电势。

12.根据权利要求1所述的RF开关电路,

其中,控制电路被配置来:在所述RF开关电路的高阻抗状态下,将地电势施加到最后晶体管的第二端子。

13.根据权利要求1所述的RF开关电路,

进一步包括被连接在最后晶体管的第二端子与所述RF开关电路的地电势端子之间的其它多个晶体管的其它串联连接,在所述地电势端子上提供地电势。

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