[发明专利]一种主动式OLED

权利要求书

1.一种主动式OLED，包括数据线(1)、电源供应线(2)、扫描线(3)、共通电极(4)、数据TFT(5)、电流TFT(6)、有机发光层(7)和透明电极层(8)，所述数据TFT(5)和电流TFT(6)与所述数据线(1)同层形成，所述共通电极(4)的上方形成所述有机发光层(7)，所述透明电极层(8)覆盖所述有机发光层(7)，其特征在于，所述数据线(1)与所述电源供应线(2)利用不同层金属制作并重叠，所述共通电极(4)与所述数据线(1)或所述扫描线(3)同层形成。

2.如权利要求1所述的主动式OLED，其特征在于，所述扫描线(3)与所述数据线(1)利用同一金属层形成。

3.如权利要求1所述的主动式OLED，其特征在于，所述OLED为底发光OLED或顶发光OLED。

4.如权利要求4所述的主动式OLED，其特征在于，所述数据TFT(5)和电流TFT(6)为顶栅结构或底栅结构。

5.如权利要求4所述的主动式OLED，其特征在于，所述数据TFT(5)和所述电流TFT(6)均由IGZO构成。

6.如权利要求1所述的主动式OLED，其特征在于，还包括数据TFT栅极(31)和电流TFT栅极(32)，所述数据TFT栅极(31)和电流TFT栅极(32)与所述扫描线(3)同层形成。

7.一种主动式OLED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、首先依序形成数据线(1)、数据TFT(5)以及电流TFT(6)，然后形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上开设与数据TFT(5)接触的第一接触孔(51)；

b、在步骤a形成的第一绝缘层上利用扫描线金属形成扫描线(3)、数据TFT栅极(31)、电流TFT栅极(32)、以及共通电极(4)，其中，电流TFT栅极(32)一端通过第一接触孔(51)与数据TFT(5)电性连接，电流TFT栅极(32)的另一端位于电流TFT(6)的上方，扫描线(3)连接数据TFT栅极(31)，电流TFT栅极(32)与扫描线(3)相互分离；；

c、在扫描线金属上覆盖保护层(9)，并在数据TFT(5)处形成第二接触孔(91)，在电流TFT(6)的两端分别形成第三接触孔(92)和第四接触孔(93)，共通电极(4)与扫描线(3)同层形成；

d、在步骤c形成的图案上形成电流供应线(2)和有机发光层(7)，并在有机发光层(7)上形成透明电极层(8)，其中，有机发光层(7)形成在共通电极(4)上，电流供应线(2)通过第二接触孔(91)和第三接触孔(92)分别与数据TFT(5)和电流TFT(6)电性连接，透明电极层(8)通过第四接触孔(93)电性连接电流TFT(6)，电流供应线(2)与数据线(1)利用不同层金属制作形成并重叠。

8.一种主动式OLED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、首先依序形成数据线(1)、共通电极(4)、数据TFT(5)和电流TFT(6)，然后形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上开设与数据线(1)、电流TFT(6)的两端和数据TFT(5)的两端接触的接触孔，共通电极(4)与数据线(1)同层形成；

b、在第一绝缘层上利用扫描线金属形成扫描线(3)、数据线栅极(30)、数据TFT栅极(31)和电流TFT栅极(32)，数据线栅极(30)的一端通过接触孔电性连接数据线(1)，数据线栅极(30)的另一端通过接触孔电性连接数据TFT(5)，数据TFT栅极(31)的一端位于数据TFT(5)的上方，数据TFT栅极(31)的另一端连接扫描线(3)，电流TFT栅极(32)的一端通过接触孔电性连接数据TFT(5)，电流TFT栅极(32)的另一端位于电流TFT(6)的上方，电流TFT栅极(32)与扫描线(3)相互分离；

c、在扫描线金属上覆盖保护层(9)，并在电流TFT(6)处形成接触孔，在共通电极(4)上形成有机发光层(7)；

d、在步骤c形成的图案上形成电流供应线(2)和透明电极层(8)，电流供应线(2)通过接触孔电流TFT(6)电性连接，透明电极层(8)连接电流TFT(6)并覆盖有机发光层(7)，透明电极层(8)通过接触孔与电流TFT(6)电性连接，电流供应线(2)与数据线(1)利用不同层金属制作形成并重叠。