[发明专利]一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板，其特征在于，包括：

扫描线；

信号线，与扫描线纵横交叉；

像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和栅格状像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、与像素电极电性连接的TFT漏极、以及位于TFT源极和TFT漏极之间的TFT沟道区，所述TFT沟道区位于底层；

共通电极线，与扫描线平行设置；

栅格状共通电极，与共通电极线电性连接；该栅格状共通电极与栅格像素电极均交错位于像素区域。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板，其特征在于：所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线。

3.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板，其特征在于：所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极、栅格状像素电极、以及栅格状共通电极均位于顶层。

4.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板，其特征在于：所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极、以及栅格状像素电极均位于顶层。

5.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板，其特征在于：所述信号线、扫描线、TFT栅极、共通电极线均位于中间层。

6.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板，其特征在于：所述信号线、扫描线、TFT栅极、共通电极线、以及栅格状共通电极均位于中间层。

7.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板分别以金属氧化物层形成源漏极连接线图形和第一绝缘层，源漏极连接线为TFT沟道区；

第二步：在第一绝缘层以金属形成信号线、扫描线、共通电极线、以及与扫描线连接的TFT栅极的图案；

第三步：在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层，并在信号线、扫描线、共通电极线、以及源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形；

第四步：在第二绝缘层上以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT沟道区、TFT漏极、与TFT漏极连接的栅格状像素电极、与共通电极线连接且与栅格状像素电极交错的栅格状共通电极。

8.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板分别以金属氧化物层形成源漏极连接线图形和第一绝缘层，源漏极连接线为TFT沟道区；

第二步：在第一绝缘层以金属形成信号线、扫描线、共通电极线、与共通电极线连接的栅格状共通电极、以及与扫描线连接的TFT栅极的图案；

第三步：在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层，并在信号线、扫描线、共通电极线、以及源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形；

第四步：在第二绝缘层上以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT沟道、TFT漏极、与TFT漏极连接且与栅格状共通电极交错的栅格状像素电极。

9.根据权利要求7或8所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料均是SiNx或SiO₂。

10.根据权利要求7或8所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于：信号线、扫描线、共通电极线是Cr、或Al、或Cu。