[发明专利]使用借助微波辐射形成的低泄漏齐纳二极管的ESD保护

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体衬底；

所述衬底的第一部分，其含有连接到所述衬底的上部部分中的栅极垫及源极垫的集成电路装置；及

所述衬底的第二部分，其含有具有最高达约10000伏的ESD额定值的齐纳二极管，其中所述齐纳二极管围绕所述衬底的外围定位。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述齐纳二极管的所述ESD额定值介于从约5000伏到约10000伏的范围内。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述齐纳二极管的所述ESD额定值针对2类半导体装置介于从约2000V到约4000V的范围内、针对3A类半导体装置介于从约4000V到约8000V的范围内，且针对3B类半导体装置超过约8000V。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述集成电路装置包括UMOS或LDMOS装置。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二部分包括除所述第一部分之外的大致所有所述衬底。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述齐纳二极管形成于大致所有所述第二部分中。

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述齐纳二极管形成为所述衬底的所述第二部分中的一系列环。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述齐纳二极管包括使用微波辐射形成的单晶Si材料。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述齐纳二极管包括已使用微波辐射从非晶Si再结晶的单晶Si材料。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述齐纳二极管包括已使用微波辐射从多晶硅再结晶的单晶Si材料。

11.一种电子设备，其包括：

印刷电路板；及

半导体装置，其包括：

半导体衬底；

所述衬底的第一部分，其含有连接到所述衬底的上部部分中的栅极垫及源极垫的集成电路装置；及

所述衬底的第二部分，其含有具有最高达约10000伏的ESD额定值的齐纳二极管，其中所述齐纳二极管围绕所述衬底的外围定位。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述齐纳二极管的所述ESD额定值介于从约5000伏到约10000伏的范围内。

13.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述齐纳二极管的所述ESD额定值针对2类半导体装置介于从约2000V到约4000V的范围内、针对3A类半导体装置介于从约4000V到约8000V的范围内，且针对3B类半导体装置超过约8000V。

14.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述集成电路装置包括UMOS或LDMOS装置。

15.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述第二部分包括除所述第一部分之外的大致所有所述衬底。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其中所述齐纳二极管形成于大致所有所述第二部分中。

17.根据权利要求15所述的电子设备，其中所述齐纳二极管形成为所述衬底的所述第二部分中的一系列环。

18.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述齐纳二极管包括使用微波辐射形成的单晶Si材料。

19.根据权利要求18所述的电子设备，其中所述齐纳二极管包括已使用微波辐射从非晶Si再结晶的单晶Si材料。

20.根据权利要求18所述的电子设备，其中所述齐纳二极管包括已使用微波辐射从多晶硅再结晶的单晶Si材料。