[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210349744.5 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681338A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈乐乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅结构，在所述衬底中所述栅结构侧方形成有Sigma形凹陷；所述Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，所述种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；
对所述Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成所述衬底表面下的凹陷；
在所述衬底表面下的凹陷内进行掺杂硼的硅锗外延生长以生成掺杂硼的硅锗再生层，其中，所述硅锗再生层中硼的含量大于所述种子硅锗层中硼的含量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述硅锗再生层上进行硅外延生长形成帽外延层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成所述衬底表面下的凹陷包括：
使用氯化氢利用外延生长系统对所述Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成所述衬底表面下的凹陷。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅锗再生层的深度为50埃~100埃；
或
所述硅锗再生层中硼的浓度为1E19~1E21。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述硅锗再生层中锗的掺杂浓度为20%~35%。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，掺杂有硼的硅锗外延生长采用减压化学气相沉积外延工艺，工艺气体包括SiH4、二氯二氢硅、GeH4、氯化氢、B2H6、H2；工艺温度500°C~800°C；工艺压力5托~25托。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述种子硅锗层中掺杂有少量由所述掺杂硼的硅锗体扩散来的硼。
8.一种半导体器件，其中，所述半导体器件的衬底上形成有栅结构，在所述衬底中所述栅结构侧方形成有Sigma形凹陷；所述Sigma形凹陷靠近所述衬底的表面形成有掺杂硼的硅锗再生层，在所述硅锗再生层下所述Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，所述种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；
其中，所述硅锗再生层中硼的含量大于所述种子硅锗层中硼的含量。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述硅锗再生层中所述硼的浓度为1E19~1E21。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述硅锗再生层的深度为50埃~100埃。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述硅锗再生层中锗的掺杂浓度为20%~35%。
12.根据权利要求8所述的半导体器件，所述硅锗再生层上外延生长有硅外延层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
