[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模式、VA（Vertical Alignment，垂直取向）模式、IPS（In-Plane-Switching，平面方向转换）模式和AD-SDS（ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术，简称ADS）模式等。

其中，ADS模式的液晶显示器主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

以ADS模式的TFT-LCD阵列基板为例，该阵列基板包括：一组栅极扫描线和与栅极扫描线垂直交叉的一组数据扫描线，彼此交叉的栅极扫描线和数据扫描线限定了一个像素区。如图1所示，每一个像素区包括形成于基板10之上的栅极11、栅极绝缘层12、有源层13、源极15、漏极16、像素电极14（即板状电极）、钝化层17和公共电极18（即狭缝电极），其中，公共电极18在像素区内具有多个狭缝结构。

在现有阵列基板的制造过程中，形成栅极和栅极扫描线图形，有源层图形，源极、漏极和数据扫描线图形，像素电极图形和过孔图形各需采用一次掩模构图工艺，图1所示的ADS模式的TFT-LCD阵列基板则需采用1+5次掩模构图工艺形成。

形成有源层和像素电极各自均需采用一次掩模构图工艺，而每次掩模构图工艺均包括多个步骤，这无疑使得阵列基板的制造工艺较为繁琐，产能较难提升。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，用以解决现有技术中阵列基板的制造工艺较为繁琐，产能较难提升的技术问题。

本发明阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管、透明导电金属层和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其中，

所述有源层位于栅极的上方或者下方；

所述透明导电金属层与有源层层叠接触；

所述源极和漏极形成有源层的沟道，且所述漏极与像素电极连接。

本发明显示装置，包括前述技术方案所述的阵列基板。

本发明阵列基板的制造方法，包括：

在基板上沉积透明导电薄膜和有源层薄膜，通过一次半色调或灰色调掩模构图工艺形成像素电极图形、透明导电金属层图形和有源层图形，其中，所述透明导电金属层与有源层层叠接触。

在本发明技术方案中，由于透明导电金属与有源层为层叠接触，因此，在阵列基板的制造过程中，在沉积透明导电薄膜和有源层薄膜之后，只需通过一次半色调或灰色调掩模构图工艺即可形成像素电极图形和有源层图形，对比于现有技术，省去了一次掩模构图工艺，大大简化了生产工艺，同时也减少了该次掩模构图工艺可能带来的产品缺陷，大大提高了产能。

附图说明

图1为现有阵列基板结构示意图（ADS模式）；

图2为本发明阵列基板结构示意图（以ADS模式为例）；

图3为本发明阵列基板制造方法流程示意图（以ADS模式为例）；

图4为本发明阵列基板制造方法中半色调掩模工艺流程示意图；

图5a~图5e为基板的半色调掩模工艺示意图；

图6为本发明阵列基板结构示意图（以TN模式为例）。

附图标记：

10-透明基板11-栅极

12-栅极绝缘层13-有源层（现有技术）

14-像素电极（现有技术）15-源极

16-漏极17-钝化层

18-公共电极23-有源层

24-像素电极230-有源层薄膜

240-透明导电薄膜100-光刻胶

25-透明导电金属层

具体实施方式