[发明专利]一种改善双大马士革工艺中缺陷的方法无效
| 申请号： | 201210343667.2 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102881583A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 黄君;张瑜;盖晨光 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 大马士革 工艺 缺陷 方法 | ||
1.一种改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一制备有底部金属的半导体结构的上表面上，从下至上顺序依次沉积介电质层、氧化物层和金属层；
步骤S2：刻蚀所述金属层至所述氧化物层中，形成沟槽图形；
步骤S3：以剩余的金属层为掩膜，在高压力高射频的环境下，采用CO/N2混合气体为主刻蚀气体刻蚀剩余的氧化物层至所述介电质层中，形成沟槽结构；其中，该所述沟槽结构位于剩余的介电质层中的底部和侧边上形成有C-N保护层；
步骤S4：继续刻蚀保护层和剩余的介电质层至所述底部金属中。
2.根据权利要求1所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括底部介质层和停止层，所述底部金属贯穿所述底部介质层，所述停止层覆盖所述底部金属和所述底部介质层的上表面，所述超低介电常数介电质层覆盖所述停止层的上表面。
3.根据权利要求1所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述金属层的材质为TiN。
4.根据权利要求1所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，氧化物层的材质为SiON。
5.根据权利要求1所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S3和所述步骤S4中的刻蚀工艺时间比为1：2。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S3中的刻蚀工艺条件为：压力300mT，射频功率为500W，CO：N2为200：150。
7.根据权利要求6所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S3中的刻蚀时间为10s。
8.根据权利要求6所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述介电质层的介电常数为2.3-2.6。
9.根据权利要求6所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S4的刻蚀条件为常规的沟槽刻蚀工艺条件。
10.根据权利要求6所述的改善双大马士革工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述底层金属的材质为铜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
