[发明专利]半导体晶片双面抛光的方法

权利要求书

1.至少一个由半导体材料构成的晶片(5)的同步双面抛光方法，所述晶片位于载板(1)中尺寸合适的切口(3)中，并且有正面和背面，所述双面抛光在提供抛光剂下在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘和覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间进行，其中第一(上)抛光垫表面和第二(下)抛光垫表面在各自情形下被至少一个从中心到边缘螺旋伸展的沟槽形状的凹陷所中断。

2.权利要求1的方法，其中在抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状的凹陷至少具有三圈。

3.权利要求1和2之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的圈之间的距离W从内部朝向外部是恒定的。

4.权利要求1和2之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的圈之间的距离W从内部朝向外部连续变大。

5.权利要求1和2之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的圈之间的距离W从内部朝向外部连续变小。

6.权利要求1和2之一的方法，其中抛光垫表面具有三个围绕抛光垫表面中的抛光垫中点圆形布置的螺线沟槽形状的凹陷，其圈之间的距离W从内部朝向外部连续变大，并且三个螺线沟槽形状凹陷的每一个合并成在抛光垫边缘区域中封闭所述三个螺旋的圆形，而三个圆形沟槽之间没有连接，并且，外边缘区域由抛光垫表面的外三分之一中的环形区域形成。

7.权利要求1-6之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的宽度从内部朝向外部连续变大。

8.权利要求1-7之一的方法，其中抛光垫表面中螺旋伸展的至少一个沟槽形状凹陷的深度从内部朝向外部连续变大。

9.权利要求1-8之一的方法，其中载板(1)中至少一个适当尺寸的圆形切口(3)被三个分段切口(2)以环形状的方式离圆形切口(3)距离A所包围，所述分段切口(2)(对于所述区域)具有相同的大小，并且彼此被网(4)隔开，且在每种情况下相互之间的距离最多110°。

10.权利要求1-9之一的方法，其中载板(1)中适当尺寸的切口(3)内的半导体晶片(5)的固有旋转是可能的。

11.权利要求1-9之一的方法，其中通过将半导体晶片固定在切口(3)中，防止载板(1)中适当尺寸的切口(3)内半导体晶片(5)的固有旋转。

12.权利要求1-11之一的方法，其中抛光剂的供应通过存在于上抛光盘和下抛光盘两者中的开口、以及上抛光垫和下抛光垫两者中的开口以加压方式在半导体晶片(5)的正面和背面上进行，其中用于抛光剂供应的喷嘴可以集成在抛光盘中的开口中。

13.权利要求12的方法，其中集成在抛光盘中用于抛光剂供应的喷嘴开口、或者集成在抛光盘和/或抛光垫中的开口的取向相对于抛光垫表面的角度为45°至小于或等于90°。

14.权利要求13的方法，其中在抛光垫的内部圆形区域中单位时间内从开口涌出进入工作间隙的抛光剂的量高于在同一时间内从位于外部环形区域中的开口涌出的量。

15.权利要求1-14之一的方法，其中由半导体材料构成的至少一个晶片(5)的正面在上抛光垫进行抛光。