[发明专利]介质隔离压阻式压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种介质隔离压阻式压力传感器，其特征在于包括：SOI硅片以及键合连接的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设有一组压敏体电阻（1），压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），氧化隔离层（2）的表面设有一组铝电极（4），每个铝电极分别通过导线与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔，空腔中部设有凸起的硅岛（5a）。

2.根据权利要求1所述的一种介质隔离压阻式压力传感器，其特征在于所述的一组压敏体电阻（1）分别布设在顶层硅（5c）四边的中间位置。

3.一种介质隔离压阻式压力传感器的制备方法，包括以下步骤：

（1）、SOI硅片表面淀积氮化硅；

（2）、SOI硅片底层硅光刻、腐蚀形成空腔及硅岛；

（3）、SOI硅片顶层硅正面光刻、刻蚀出体电阻的隔离槽，隔离槽中的顶层硅形成压敏体电阻；

（4）、SOI硅片热氧化，在隔离槽中填充绝缘介质；

（5）、SOI硅片双面去除氮化硅；

（6）、SOI硅片双面生长氧化绝缘层；

（7）、SOI硅片顶层硅正面光刻压敏电阻接线孔；

（8）、SOI硅片顶层硅正面溅射铝，光刻铝电极、铝布线图形，并腐蚀形成电极铝及铝布线；

（9）、SOI硅片底层硅与下盖板键合，进行下盖板真空封装。