[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括第一存储器模块和第二存储器模块，

其中第一存储器模块包括：

在第一方向上平行地延伸的多个第一字线；

在与第一方向交叉的第二方向上平行地延伸的多个第一位线；以及

位于第一字线和第一位线的交点处的多个第一SRAM存储单元，

其中第二存储器模块包括：

在第三方向上平行地延伸的多个第二字线；

在与第三方向交叉的第四方向上平行地延伸的多个第二位线；以及

位于第二字线和第二位线的交点处的多个第二SRAM存储单元，

其中第一存储器模块还包括：

在第二方向上平行地延伸以便将电力供应给第一SRAM存储单元的多个第一存储单元电源线；以及

第一写辅助电路，用于在写操作中将与要写的第一SRAM存储单元对应的第一存储单元电源线的电荷放电持续第一时段，

其中第二存储器模块还包括：

在第四方向上平行地延伸以便将电力供应给第二SRAM存储单元的多个第二存储单元电源线；以及

第二写辅助电路，用于在写操作中将与要写的第二SRAM存储单元对应的第二存储单元电源线的电荷放电持续第二时段，

其中第一字线的数量大于第二字线的数量，以及

其中第一时段长于第二时段。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中第一写辅助电路包括：

第一电压产生电路，用于在将特定的电压的电压电平从第一电压电平切换到比第一电压电平低的第二电压电平的同时，在写操作中将所述电压输出给要写的第一存储单元电源线；以及

第一放电电路，与通过第一电压产生电路从第一电压电平到第二电压电平的转变并行地进行操作，以便通过将第一存储单元电源线的电荷放电持续第一时段来控制从第一电压电平到第二电压电平的转变速度，以及

其中第二写辅助电路包括：

第二电压产生电路，用于在将特定的电压的电压电平从第一电压电平切换到第二电压电平的同时，在写操作中将所述电压输出给要写的第二存储单元电源线；以及

第二放电电路，与通过第二电压产生电路从第一电压电平到第二电压电平的转变并行地进行操作，以便通过将第二存储单元电源线的电荷放电持续第二时段来控制从第一电压电平到第二电压电平的转变速度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中第一电压产生电路包括：

第一导电类型的第一和第二MIS晶体管，其源极/漏极路径并联耦接在第一电压电平与第一存储单元电源线之间；以及

第一导电类型的第三MIS晶体管、第二导电类型的第四MIS晶体管以及第二导电类型的第五MIS晶体管，其源极/漏极路径从第一存储单元电源线那侧起依次串联耦接在第一存储单元电源线与比第二电压电平低的第三电压电平之间，

其中第一和第五MIS晶体管的栅极被公共地耦接，

其中预定的固定电压被输入到第三MIS晶体管的栅极，

其中第二MIS晶体管的栅极耦接到第三MIS晶体管和第四MIS晶体管的公共耦接节点，

其中第四晶体管的栅极与第一存储单元电源线耦接，

其中第二电压产生电路包括：

第一导电类型的第六和第七MIS晶体管，其源极/漏极路径并行耦接在第一电压电平与第二存储单元电源线之间；以及

第一导电类型的第八MIS晶体管、第二导电类型的第九MIS晶体管以及第二导电类型的第十MIS晶体管，其源极/漏极路径从第二存储单元电源线那侧起依次串联耦接在第二存储单元电源线与第三电压电平之间，

其中第六和第十MIS晶体管的栅极被公共地耦接，

其中预定的固定电压被输入到第八MIS晶体管的栅极，

其中第七MIS晶体管的栅极耦接到第八MIS晶体管和第九MIS晶体管的公共耦接节点，以及

其中第九MIS晶体管的栅极与第二存储单元电源线耦接。