[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和电子装置有效
申请号: | 201210330054.5 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN103000644A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 大久保智弘;远藤表德 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种固体摄像器件,其包括:
半导体基板,其具有光电转换元件和电荷保持部,所述光电转换元件用于将入射光转换成电荷,所述电荷保持部用于临时保持由所述光电转换元件光电转换的所述电荷;以及
遮光部,其具有埋入部,所述埋入部至少在所述半导体基板的位于所述光电转换元件与所述电荷保持部之间的区域中延伸。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,还包括:
配线层,其具有多层配线,
其中,光从所述半导体基板的背侧进入所述光电转换元件,所述背侧与所述半导体基板的设置有所述配线层的前侧相反。
3.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述遮光部的所述埋入部形成为包围所述光电转换元件和所述电荷保持部。
4.根据权利要求3所述的固体摄像器件,其中,在所述光电转换元件与所述电荷保持部之间的区域之外的区域中形成的所述埋入部贯穿所述半导体基板。
5.根据权利要求3所述的固体摄像器件,其中,
所述半导体基板还具有浮动扩散部,以及
所述遮光部的所述埋入部形成为包围所述光电转换元件、所述电荷保持部和所述浮动扩散部。
6.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述遮光部还具有盖部,所述盖部在所述半导体基板的背侧布置成至少覆盖所述电荷保持部,光从所述背侧进入所述光电转换元件。
7.根据权利要求4所述的固体摄像器件,其中,在所述遮光部的所述盖部中,在与所述光电转换元件对应的区域中形成有开口。
8.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述遮光部还具前侧盖部,所述前侧盖部在所述半导体基板的前侧布置成至少覆盖所述电荷保持部,所述前侧与光进入所述光电转换元件的一侧相反。
9.根据权利要求6所述的固体摄像器件,其中,在所述遮光部的所述前侧盖部中,在与所述光电转换元件对应的区域中形成有开口。
10.一种用于制造固体摄像器件的方法,其包括如下步骤:
在半导体基板中形成光电转换元件和电荷保持部,所述光电转换元件用于将入射光转换成电荷,所述电荷保持部用于临时保持由所述光电转换元件光电转换的所述电荷;并且
形成遮光部,所述遮光部具有埋入部,所述埋入部至少在所述半导体基板的位于所述光电转换元件与所述电荷保持部之间的区域中延伸。
11.一种电子装置,其包括前述权利要求1-9中任一项所述的固体摄像器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的