[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210324163.6 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681248B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：
a)提供至少具有一个栅极的半导体衬底；
b)在所述衬底上执行第一非晶化步骤以形成第一非晶化区域于所述衬底表面；
c)在所述第一非晶化区域上和所述栅极上形成光刻胶层；
d)图案化所述光刻胶层以定义LDD或源漏极区域；
e)对所述衬底执行掺杂剂离子注入；
f)去除所述光刻胶层；
g)热退火以形成LDD或源漏极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一非晶化步骤中使用的离子源包括：C、Si、Ge、Sn、Pb或其组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一非晶化步骤中所注入离子的剂量为10E15-10E13离子/平方厘米。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述第一非晶化步骤中离子注入的能量为5keV-100kvV。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤e）还包括在掺杂剂离子注入之前执行的共注入的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于使用C、F或N作为所述共注入步骤中的离子源。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤的d)使用的是KrF或ArF光源。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括在所述步骤d)之后对所述衬底执行第二非晶化的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于使用B、BF、P、As或In作为形成LDD或源漏极的掺杂剂离子。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一非晶化步骤为一全面离子注入步骤。
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