[发明专利]封装基板的制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装基板，尤指一种具有承载结构的封装基板的制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化（miniaturization）的封装需求，所以朝降低承载芯片的封装基板的厚度发展。

早期半导体封装件的制法中，是以具有核心层10的封装基板1提升整体结构的刚性，如图1A所示，以利于后续置晶与封装工艺。该封装基板1还包含：形成于该核心层10的相对两侧上的多个介电层11、形成于该介电层11上的线路层14、形成于该介电层11中且电性连接该线路层14的多个导电盲孔12、形成于该核心层10中且电性连接该线路层14的多个导电通孔13、及形成于该最外侧的介电层11上的防焊层15，且该防焊层15外露该线路层14的部分表面。于后续置晶与封装工艺中，先置放一芯片16于该防焊层15上，且该芯片16借由多个焊线160电性连接该线路层14，再以封装胶体17包覆该芯片16与焊线160。

然而，因该封装基板1具有核心层10，所以该封装基板1的厚度增加，导致整体半导体封装件的整体高度增加，而难以符合薄化的需求。

此外，因需考量该核心层10的材料成本及制作该导电通孔13的成本，所以难以降低该封装基板1的制作成本。

因此，遂发展出无核心层（coreless）的封装基板，以达到微小化及省成本的需求。如图1B所示，该封装基板1’的制法通过于一承载件（图略）上形成一无核心层（coreless）的封装基板1’，再移除该承载件。该封装基板1’包含：多个介电层11、形成于该介电层11上的线路层14、形成于该介电层11中且电性连接该线路层14的多个导电盲孔12、及形成于该最外侧的介电层11上的防焊层15，且该防焊层15外露该线路层14的部分表面。于后续置晶与封装工艺中，先置放一芯片16于该防焊层15上，且该芯片16借由多个焊线160电性连接该线路层14，再以封装胶体17包覆该芯片16与焊线160。

然而，现有封装基板1’的制法中，于该承载件上仅能以单面制作，所以一次工艺仅能制造出一批封装基板1’供封装工艺使用，导致生产效率不佳，而难以降低制作成本。

此外，因该封装基板1’的厚度愈薄，其刚性越小，且该封装基板1’也需具有足够的刚性供后续置晶或封装工艺时作承载之用，所以该封装基板1’仍需维持一定厚度而难以再薄化，以致于无法进一步薄化封装件。

因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺陷，本发明的主要目的在于提供一种封装基板的制法，以有效降低封装件的厚度，以达薄化封装件的目的。

本发明的封装基板的执法包括：提供一承载件，该承载件用于结合两承载结构，该两承载结构各具有相对的第一侧与第二侧，且该两承载结构以其第二侧相结合；形成单一层线路层于该两承载结构的第一侧上；以及分离该两承载结构，以形成两具有该承载结构的封装基板。

前述的制法中，该两承载结构的第二侧以粘着层粘结，所以可移除该粘着层，以分离出该两封装基板；或者，该两承载结构的分离以沿该第二侧的粘着层内侧进行切割的方式，令该两承载结构分开，以分离出该两封装基板。此外，该粘着层设置于该两承载结构的第二侧边缘的非布线区。

前述的制法中，该两承载结构的第二侧还具有支撑强化件；或者，该承载结构还具有绝缘层、形成于该绝缘层上的介电层、形成于该介电层上的金属承载层、及形成于该金属承载层上的金属层，且令该金属层形成于该第一侧上。

前述的制法中，各该第一侧上具有金属层，且形成该线路层的工艺包括：形成阻层于该金属层上，且该阻层形成有多个开口以外露部分该金属层；形成该线路层于该开口中的金属层上；以及移除该阻层。或者，借蚀刻该金属层而形成该线路层。

前述的制法中，该承载结构的第一侧与第二侧分别具有第一与第二金属层，各该两承载结构以其第二金属层相互结合。再者，该第一与第二金属层为铜箔，且该第二金属层以真空压合方式相互结合。此外，形成该线路层的工艺包括：形成预备金属层于该第一金属层上；形成阻层于该预备金属层上，且该阻层形成有多个开口以外露部分该预备金属层；移除该开口中的预备金属层，以令剩余的该预备金属层作为该线路层；以及移除该阻层。其中，该预备金属层以压合方式形成于该第一金属层上。

前述的制法中，还包括形成表面处理层于该线路层上。

另外，前述的制法中，还包括形成防焊层于该承载结构的第一侧上。