[发明专利]发光二极管晶粒的制造方法无效
| 申请号： | 201210317692.3 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103682020A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;黄世晟;凃博闵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
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| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管晶粒的制造方法，尤其涉及一种电流分布均匀的发光二极管晶粒的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
在LED工作的过程中，电流由P电极流向N电极时容易汇集在P电极和N电极之间的最短路径上，电流的汇集会造成电流拥挤效应，由于电流过于集中，靠近电极处的亮度最强，导致LED元件出光面的亮度不均匀；同时电流拥挤处温度越来越高，此高温将影响LED的使用寿命。所以如何使电流分布均匀，又能保证LED元件的使用寿命，是目前LED产业努力的课题。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种电流分布均匀的发光二极管晶粒的制造方法。
一种发光二极管晶粒的制造方法，包括步骤：提供一预成型的发光二极管结构，其包括第一基板、及依次形成于基板上的成核层、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层；在该P型层表面形成至少一绝缘块；在该P型层表面形成一反射层并覆盖所述绝缘块；在该反射层表面形成一第二基板，所述第二基板为导电基板；移除第一基板，使所述成核层下表面外露；及在成核层外露的表面对应绝缘块的区域设置N电极。
通过本发明制造出方法形成的发光二极管晶粒，由于N电极对应该绝缘块区域设置，当电流由第二基板流向N电极时受到绝缘块的阻挡，电流绕过绝缘块从两侧均匀传导，避免集中在第二基板和N电极之间的最短路径上，从而使得形成的发光二极管晶粒发光均匀，且制成简便、成本较低。
附图说明
图1至图6为是本发明第一实施例的发光二极管晶粒制造方法的各步骤示意图。
图7至图13为本发明第二实施例的发光二极管晶粒的制作方法的各步骤示意图。
主要元件符号说明
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