[发明专利]大功率IGBT驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种驱动电路，特别是涉及一种大功率IGBT驱动电路。

背景技术

现有大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）驱动电路都是国外进口的驱动电路板，价格高，开关频率低，驱动功率小。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种大功率IGBT驱动电路，其实现光纤隔离，开关频率高，驱动能力强。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种大功率IGBT驱动电路，其特征在于，其包括第七集成三极管阵列、第八集成三极管阵列、第九三极管、第十三极管、第十一三极管、第十二三极管、第二十二电阻、第二十三电阻、第二十四电阻、第二十六电阻、第二十八电阻、第三十一电阻、第三十三电阻、第三十九电阻、第四十二电阻、第十四二极管、第二十一二极管、第二十四二极管、第二十五二极管、第二十六二极管、第八电容、第十电容、第十一电容、第四稳压管，第九三极管与第三十一电阻连接，第三十一电阻与第七集成三极管阵列、第八集成三极管阵列、第十四二极管连接，第二十八电阻与第十四二极管连接，第七集成三极管阵列与第十一三极管连接，第八集成三极管阵列与第十二三极管连接，第二十八电阻与第十三极管、第二十三电阻连接，第二十三电阻与第二十二电阻、第八电容连接，第二十四电阻连接在第七集成三极管阵列和第十一三极管之间，第二十六电阻连接在第八集成三极管阵列和第十二三极管之间，第十三极管与第十电容、第十一电容、第四稳压管连接，第十一电容与第三十三电阻、第三十九电阻、第四十二电阻连接，第二十一二极管与第十一三极管、第十二三极管连接，第三十三电阻与第二十四二极管、第二十五二极管、第二十六二极管连接，第九三极管、第七集成三极管阵列与第八集成三极管阵列均为开关型器件，第十一三极管、第十二三极管都是大功率三极管。

本发明的积极进步效果在于：本发明实现软关断，光纤隔离，开关频率高，驱动能力强，具有短路保护。

附图说明

图1为本发明大功率IGBT驱动电路的示意图。

具体实施方式

下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。

如图1所示，本发明大功率IGBT驱动电路包括第七集成三极管阵列Q7、第八集成三极管阵列Q8、第九三极管Q9、第十三极管Q10、第十一三极管Q11、第十二三极管Q12、第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十六电阻R26、第二十八电阻R28、第三十一电阻R31、第三十三电阻R33、第三十九电阻R39、第四十二电阻R42、第十四二极管D14、第二十一二极管D21、第二十四二极管D24、第二十五二极管D25、第二十六二极管D26、第八电容C8、第十电容C10、第十一电容C11、第四稳压管Z4，第九三极管Q9与第三十一电阻R31连接，第三十一电阻R31与第七集成三极管阵列Q7、第八集成三极管阵列Q8、第十四二极管D14连接，第二十八电阻R28与第十四二极管D14连接，第七集成三极管阵列Q7与第十一三极管Q11连接，第八集成三极管阵列Q8与第十二三极管Q12连接，第二十八电阻R28与第十三极管Q10、第二十三电阻R23连接，第二十三电阻R23与第二十二电阻R22、第八电容C8连接，第二十四电阻R24连接在第七集成三极管阵列Q7和第十一三极管Q11之间，第二十六电阻R26连接在第八集成三极管阵列Q8和第十二三极管Q12之间，第十三极管Q10与第十电容C10、第十一电容C11、第四稳压管Z4连接，第十一电容C11与第三十三电阻R33、第三十九电阻R39、第四十二电阻R42连接，第二十一二极管D21与第十一三极管Q11、第十二三极管Q12连接，第三十三电阻R33与第二十四二极管D24、第二十五二极管D25、第二十六二极管D26连接。