[发明专利]浅沟槽隔离及其制造方法

权利要求书

1.一种STI结构,包括衬底以及衬底中的隔离氧化物,其特征在于：在100K温度下,隔离氧化物的线性体积膨胀系数的绝对值大于10^-4/K。

2.如权利要求1的STI结构,其中,隔离氧化物为负热膨胀介质材料。

3.如权利要求2的STI结构,其中,隔离氧化物为钙钛矿型氧化物。

4.如权利要求3的STI结构,其中,隔离氧化物包括Bi_0.95La_0.05NiO₃、BiNiO₃、ZrW₂O₈。

5.如权利要求1的STI结构,其中,隔离氧化物为正热膨胀介质材料。

6.如权利要求5的STI结构,其中,隔离氧化物为框架材料。

7.如权利要求6的STI结构,其中,隔离氧化物包括Ag₃[Co(CN)₆]。

8.一种STI结构的制造方法,包括：

提供衬底；

在衬底上进行光刻/刻蚀形成浅沟槽；

在衬底上以及浅沟槽中沉积隔离氧化物,其中,在100K温度下,

隔离氧化物的线性体积膨胀系数的绝对值大于10^-4/K；

平坦化隔离氧化物直至暴露衬底。

9.如权利要求8的STI结构的制造方法,其中,沉积隔离氧化物的温度大于器件的工作温度。

10.如权利要求9的STI结构的制造方法,其中,沉积隔离氧化物的温度大于400℃,器件的工作温度小于100℃。