[发明专利]一种用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构，包括衬底（9）及位于所述衬底（9）上的MEMS光学结构（8）；其特征是：所述衬底（9）上设置薄膜封帽（4），所述薄膜封帽（4）的端部边缘通过键合层（5）与衬底（9）键合固定连接；薄膜封帽（4）与衬底（9）间形成容纳MEMS光学结构（8）的腔体（11），所述MEMS光学结构（8）位于腔体（11）内。

2.根据权利要求1所述的用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构，其特征是：所述薄膜封帽（4）的外表面上覆盖有第一光学增透膜（6），薄膜封帽（4）的内表面上覆盖有第二光学增透膜（7），所述第二光学增透膜（7）位于MEMS光学结构（8）的正上方。

3.根据权利要求1所述的用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构，其特征是：所述薄膜封帽（4）的内表面上设置吸气剂层，并在薄膜封帽（4）通过键合层（5）与衬底（9）键合时激活吸气剂层。

4.根据权利要求1所述的用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构，其特征是：所述衬底（9）内设有贯通衬底（9）的电连接通孔（10），所述电连接通孔（10）与MEMS光学结构（8）电连接。

5.一种用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构制造方法，其特征是，所述薄膜封帽封装结构制造方法包括如下步骤：

（a）、提供中转晶圆（3），并对所述中转晶圆（3）的两个对面表面进行抛光；在表面抛光后的中转晶圆（3）的一个表面上沉积防粘层（2），并在防粘层（2）上设置中转支撑保护层（1）；

（b）、选择性地掩蔽和刻蚀中转支撑保护层（1），以在中转支撑保护层（1）内形成所需的凹坑；

（c）、在中转支撑保护层（1）对应形成凹坑的表面沉积薄膜材料，得到所需的薄膜封帽（4），所述薄膜封帽（4）覆盖中转支撑保护层（1）的表面；

（d）、在上述薄膜封帽（4）上制作键合层（5），所述键合层（5）位于凹坑的外圈，形成于薄膜封帽（4）的端部边缘；

（e）、提供衬底（9），所述衬底（9）上设置所需的MEMS光学结构（8）；

（f）、在真空状态下，将上述薄膜封帽（4）通过键合层（5）与衬底（9）进行键合，MEMS光学结构（8）位于薄膜封帽（4）与衬底（9）间形成的腔体（10）内；

（g）、去除薄膜封帽（4）上的中转支撑保护层（1）、防粘层（2）及中转晶圆（3），得到所需的薄膜封帽封装结构。

6.根据权利要求5所述用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构制造方法，其特征是：所述步骤（c）中，在中转支撑保护层（1）的表面形成薄膜封帽（4）前，先在凹坑的底部形成第一光学增透膜（6），薄膜封帽（4）覆盖于第一光学增透膜（6）内，且在薄膜封帽（4）上设置第二光学增透膜（7），所述第二光学增透膜（7）与第一光学增透膜（6）对应分布。

7.根据权利要求5所述用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构制造方法，其特征是：所述薄膜封帽（4）的材料包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、多晶硅、硒化锌、硫化锌、氟化钙、氧化锌、锗、硒、氧化镁或氧化钛。

8.根据权利要求6所述用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构制造方法，其特征是：所述薄膜封帽（4）的厚度为500nm，第一光学增透膜（6）的材料包括氧化钛。

9.根据权利要求5所述用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构制造方法，其特征是：所述中转支撑保护层（1）为光刻胶，防粘层（2）为二氧化硅。

10.根据权利要求5所述用于MEMS光学器件的薄膜封帽封装结构制造方法，其特征是：所述衬底（9）内设有贯通衬底（9）的电连接通孔（10），所述电连接通孔（10）与MEMS光学结构（8）电连接。