[发明专利]硅基底及其制造方法以及喷墨印刷头无效
申请号: | 201210294942.6 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN103129145A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 李在昌;李泰京;李华善;金成昱 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | B41J2/14 | 分类号: | B41J2/14;B41J2/16 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 及其 制造 方法 以及 喷墨 印刷 | ||
本申请要求于2011年11月30日提交到韩国知识产权局的第10-2011-0126591号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及一种其中形成有限流器的硅基底、一种制造该硅基底的方法和一种喷墨印刷头,更具体地说,涉及一种具有使墨水能够顺利流动的流动路径结构的硅基底、一种制造该硅基底的方法以及一种包括该硅基底的喷墨印刷头。
背景技术
喷墨印刷头是一种用于将电信号转换为物理脉冲并喷射存储的墨水液滴的设备。
由于喷墨印刷头可以以大规模生产来制造,所以它不仅用于办公室用打印机,也用于工业印刷机。例如,喷墨印刷头不仅用在办公室中通过将墨水喷射在纸上来打印出文档,也用在工厂中通过将液态金属材料喷射到印刷电路板(PCB)上来直接生产电路图案。
普通的喷墨印刷头可包括多个压力室和多个喷嘴。喷墨印刷头可通过多个喷嘴同时喷射单色墨水或多色墨水,从而不仅使其印刷速度提高,而且能够实现逼真的印刷。
同时,喷墨印刷头可具有堆叠有多个基底的结构。这种喷墨印刷头可通过堆叠其中形成有歧管、限流器和压力室等的上下基底来形成墨水流经的路径。
然而,传统的喷墨印刷头可具有通过干蚀刻而形成在其中的歧管、限流器和压力室等,这会由于在利用氧化物膜作为掩模的光学工艺或蚀刻工艺中存在的颗粒而在其中造成缺陷。
因此,在传统的喷墨印刷头的形成中,在从歧管到压力室形成的墨水流动路径中的缺陷的可能性会增大,从而使其制造良率降低。
发明内容
本发明的一方面提供一种具有形成在其中的限流器的硅基底、一种制造该硅基底的方法以及一种包括该硅基底的喷墨印刷头,所述硅基底通过去除在制造传统的喷墨印刷头的工艺过程中容易出现的缺陷的可能性来使墨水顺利流动。
根据本发明的一方面,提供了一种硅基底,所述硅基底包括:第一连接部分,连接到歧管并具有第一尺寸的第一宽度;第二连接部分,连接到压力室并具有第二尺寸的第二宽度;限流器部分,将第一连接部分连接到第二连接部分,并具有第三尺寸的第三宽度,第三尺寸小于第一尺寸或第二尺寸,其中,将限流器部分连接到第一连接部分的边界部分或将限流器部分连接到第二连接部分的边界部分被形成为弯曲的。
第一连接部分可具有对应于歧管的横截面形状的横截面形状。
第一连接部分可具有比歧管的横截面形状小的横截面形状。
所述硅基底还可包括形成为与第二连接部分分隔开预定距离的喷嘴部分。
边界部分可以是通过湿蚀刻形成的。
第一连接部分、第二连接部分和限流器部分可被形成为沿硅基底的厚度方向延伸。
根据本发明的另一方面,提供了一种制造硅基底的方法,该方法包括下述步骤:在硅基底的一个表面上形成具有第一尺寸的第一宽度的第一显影图案和具有第二尺寸的第二宽度的第二显影图案;在第一显影图案和第二显影图案之间形成第三显影图案,第三显影图案具有比第一尺寸和第二尺寸小的第三尺寸的第三宽度;对第一显影图案、第二显影图案和第三显影图案进行显影、去除和干蚀刻,并形成对应于第一显影图案、第二显影图案和第三显影图案的蚀刻部分;对硅基底进行湿蚀刻,从而完成蚀刻部分的形状。
第三显影图案可被形成为与第一显影图案和第二显影图案具有第四尺寸的距离。
第四尺寸可小于第三尺寸。
第四尺寸可小于硅基底的厚度。
可利用TMAH或KOH(氢氧化钾)执行湿蚀刻。
第一显影图案可形成连接到歧管的第一连接部分,第二显影图案可形成连接到压力室的第二连接部分,第三显影图案可形成限流器部分。
根据本发明的另一方面,提供了一种喷墨印刷头,所述喷墨印刷头包括:第一基底,在第一基底中形成歧管和压力室;第二基底,在第二基底中形成连接到歧管的第一连接部分、连接到压力室的第二连接部分以及连接第一连接部分和第二连接部分的限流器部分,其中,将限流器部分连接到第一连接部分的边界部分或将限流器部分连接到第二连接部分的边界部分被形成为弯曲的。
所述喷墨印刷头还可包括形成为与第二连接部分分隔开预定距离的喷嘴部分。
第二基底可以通过干蚀刻和湿蚀刻形成。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本发明的上述和其它方面、特征和其它优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是根据本发明第一实施例的硅基底的俯视图;
图2是沿线A-A截取的图1的硅基底的剖视图;
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