[发明专利]硅基底及其制造方法以及喷墨印刷头

权利要求书

1.一种硅基底，所述硅基底包括：

第一连接部分，连接到歧管并具有第一尺寸的第一宽度；

第二连接部分，连接到压力室并具有第二尺寸的第二宽度；

限流器部分，将第一连接部分连接到第二连接部分，并具有第三尺寸的第三宽度，第三尺寸小于第一尺寸或第二尺寸，

其中，将限流器部分连接到第一连接部分的边界部分或者将限流器部分连接到第二连接部分的边界部分被形成为弯曲的。

2.如权利要求1所述的硅基底，其中，第一连接部分具有对应于歧管的横截面形状的横截面形状。

3.如权利要求1所述的硅基底，其中，第一连接部分具有比歧管的横截面形状小的横截面形状。

4.如权利要求1所述的硅基底，所述硅基底还包括形成为与第二连接部分分隔开预定距离的喷嘴部分。

5.如权利要求1所述的硅基底，其中，所述边界部分是通过湿蚀刻形成的。

6.如权利要求1所述的硅基底，其中，第一连接部分、第二连接部分和限流器部分被形成为沿硅基底的厚度方向延伸。

7.一种制造硅基底的方法，该方法包括下述步骤：

在硅基底的一个表面上形成具有第一尺寸的第一宽度的第一显影图案和具有第二尺寸的第二宽度的第二显影图案；

在第一显影图案和第二显影图案之间形成第三显影图案，第三显影图案具有比第一尺寸和第二尺寸小的第三尺寸的第三宽度；

对第一显影图案、第二显影图案和第三显影图案进行显影、去除和干蚀刻，并形成对应于第一显影图案、第二显影图案和第三显影图案的蚀刻部分；

对硅基底进行湿蚀刻，从而完成蚀刻部分的形状。

8.如权利要求7所述的方法，其中，第三显影图案被形成为与第一显影图案和第二显影图案具有第四尺寸的距离。

9.如权利要求8所述的方法，其中，第四尺寸小于第三尺寸。

10.如权利要求8所述的方法，其中，第四尺寸小于硅基底的厚度。

11.如权利要求7所述的方法，其中，利用TMAH或氢氧化钾执行湿蚀刻。

12.如权利要求7所述的方法，其中，第一显影图案形成连接到歧管的第一连接部分，第二显影图案形成连接到压力室的第二连接部分，第三显影图案形成限流器部分。

13.一种喷墨印刷头，所述喷墨印刷头包括：

第一基底，歧管和压力室形成在第一基底中；

第二基底，连接到歧管的第一连接部分、连接到压力室的第二连接部分以及连接第一连接部分和第二连接部分的限流器部分形成在第二基底中，

其中，将限流器部分连接到第一连接部分的边界部分或者将限流器部分连接到第二连接部分的边界部分被形成为弯曲的。

14.如权利要求13所述的喷墨印刷头，所述喷墨印刷头还包括形成为与第二连接部分分隔开预定距离的喷嘴部分。

15.如权利要求13所述的喷墨印刷头，其中，第二基底是通过干蚀刻和湿蚀刻形成的。