[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；

在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽或垂直凹槽；

依次执行一湿法清洗过程和一高温退火过程；

蚀刻所述碗状凹槽或所述垂直凹槽，以形成∑状凹槽；

在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成碗状凹槽的过程包括：先对所述半导体衬底的源/漏区进行第一蚀刻以形成凹槽，然后对所述凹槽进行第二蚀刻。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一蚀刻为采用干法蚀刻工艺的纵向蚀刻。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二蚀刻为采用干法蚀刻工艺的各向同性蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗过程包括以下步骤：先采用浓度为20-90ppm的臭氧水处理所述碗状凹槽或所述垂直凹槽，处理时间为1-2min；再采用浓度为1:500-1:1000的稀释的氢氟酸处理所述碗状凹槽或所述垂直凹槽，处理时间为10-20s。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温退火的温度大于1050℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成∑状凹槽的蚀刻为湿法蚀刻。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻包括以下步骤：先采用浓度为1:100-1:500的稀释的氢氟酸处理所述碗状凹槽或所述垂直凹槽，处理时间为1-3min；再采用浓度为1-5％的四甲基氢氧化铵溶液处理所述碗状凹槽或所述垂直凹槽，处理时间为1-3min，处理温度为25-50℃。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵溶液的浓度为2.38％。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述∑状凹槽之后，还包括执行一预清洗过程的步骤。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述预清洗过程采用的清洗液是氨水、双氧水和水的混合物以及稀释的氢氟酸的组合。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述预清洗过程采用的清洗液是臭氧水、氨水、双氧水和水的混合物以及稀释的氢氟酸的组合。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺形成所述嵌入式锗硅层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述嵌入式锗硅层之前，在所述∑状凹槽的底部先形成一籽晶层。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述籽晶层为一薄层单晶硅层或者一具有低锗含量的锗硅层。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述嵌入式锗硅层之后，在所述嵌入式锗硅层上形成一帽层。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述帽层为一单晶硅层或者一具有低锗含量的锗硅层。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。