[发明专利]一种具有柔性透明导电薄膜的电容触摸屏及其制备方法

说明书

技术领域

本技术涉及电容型触摸屏，具体地说，是一种柔性透明电容型触摸屏。

背景技术

常规的电容型触摸屏是在透明导电玻璃两侧涂敷有ITO薄膜层(镀膜导电玻璃)，ITO薄膜层作为工作面, 四个角上引出电极，内层ITO为屏蔽层以保证良好的工作环境。当手指触摸在触控屏表面上时，由于人体电场和导电玻璃表面ITO薄膜层形成以一个耦合电容，对于高频电流来说，电容是直接导体，于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分别从触控屏四角上的电极中流出，并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比，控制器通过对这四个电流比例的精确计算，得出触摸点的位置信息。

常规的电阻型触摸屏是由透明导电薄膜和透明导电玻璃（或透明导电薄膜）以导电膜面相对，中间以园柱形的间隔支撑。在透明导电薄膜上用手或笔等施加压力使导电膜相接触。在导电膜上施加电压，通过控制电路判断出这个接触点的位置。

这种电阻型触摸屏因为制造方式的简易性，价格的适当性，接触点判断的准确性等的优点，比起光学方式或超音波方式，这种触摸屏应用广泛。缺点是不能同时感受到多接触点的判断，不能感受手指移动方式。

常规的电容型触摸屏较电阻型触摸屏触点敏感，但因为制作基材为透明导电玻璃板，其厚度、重量均受玻璃基材所限。玻璃基材太薄，强度受到影响，受到外界压力、或弯曲时触摸屏易碎、或破损。同时因为静电感应的特殊要求，通常要求增加两侧透明ITO薄膜层厚度，降低电阻值低。由此而影响到其透光性能，造成色度b*偏高，全光线透光率偏低。

作为一透明导电薄膜的制造方式，在透明的薄膜基材上使用物理方式沉积氧化锡铟（ITO）。但是这种透明导电薄膜上氧化锡铟薄膜的附着耐久性很差，在高温处理后的表面电阻有很大的变化。

发明内容

本技术的目的在是针对玻璃型电容触摸屏厚度厚、重量过重、透光率、不能卷曲的问题,提供一种柔性可卷曲、厚度薄、重量轻、表面电阻小、高透光、低色度的电容型触摸屏。

本技术的具有柔性导电薄膜的电容型触摸屏，包括柔性透明薄膜基材1；在柔性透明薄膜基材1上表面上依次层叠有第一Nb₂O₅薄膜层2、第一Nb₂Ox（0<x<5）薄膜层3、第一SiO₂薄膜层4、第一SiOx（0<x<2）薄膜层5、第一ITO薄膜层6；在柔性透明薄膜基材1下表面上有第二ITO薄膜层7。

上述的电容型触摸屏，它还包括位于柔性透明薄膜基材1上表面与Nb₂O₅薄膜层2之间的第一树脂薄膜层8，位于柔性透明薄膜基材1下表面与第二ITO薄膜层7之间的第二树脂薄膜层9。第一树脂薄膜层8或第二树脂薄膜层9能够使得膜层的附着性能增加。第一树脂薄膜层8或第二树脂薄膜层9可以是丙烯酸树脂薄膜层。

上述的电容型触摸屏，它还包括柔性透明薄膜基材1下表面与第二ITO薄膜层7之间的依次层叠的第二Nb₂O₅薄膜层12、第二Nb₂Ox（0<x<5）薄膜层13、第二SiO₂薄膜层14、第二SiOx（0<x<2）薄膜层15。

上述的电容型触摸屏，柔性透明薄膜基材1为PET薄膜基材。

上述的电容型触摸屏，柔性透明薄膜基材1厚度为5?-250?。柔性透明薄膜基材的厚度未满5 ?的时候，在柔性透明薄膜基材上依靠物理沉积覆膜的时候，基膜如同皱纹纸一样加工很难制成的，厚度超过250 ?的时候，基膜非常硬，不适合触摸屏的特性。

上述的电容型触摸屏，第一SiO₂薄膜层4厚度为0.5nm-150nm。当第一SiO₂薄膜厚度低于5nm时，则达不到防划耐磨、阻断水分渗透的目的。厚度超过200nm时将使得透明性能降低。第一SiO₂薄膜层增加了第一ITO薄膜层的附着力，同时阻断了柔性透明薄膜基材的水分的渗透。即使在高温处理的环境下，也使得第一ITO薄膜层的表面电阻变化减小。

上述的电容型触摸屏，第一SiOx（0<x<2）薄膜层5厚度为0.5nm-150nm。

上述的电容型触摸屏，第一Nb₂O₅薄膜层2厚度为0.5nm-150nm。

上述的电容型触摸屏，第一Nb₂Ox（0<x<5）薄膜层3厚度为0.5nm-150nm。