[发明专利]一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示屏的制备工艺领域，特别涉及一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)通常是指用半导体薄膜材料制成的绝缘栅场效应晶体管。这种器件通常由半导体薄膜和与其一侧表面相接触的绝缘层组成，具有栅电极，源电极和漏电极。TFT被设置在阵列Array基板上，Array基板如图1所示，包括一作为基材的支撑基板21，基板21上设置有的导电性栅极26、源极22和漏极23、电绝缘栅极介电层25和半导电层24组成，电绝缘栅极介电层25将栅极26，与源极22和漏极23分割，半导电层24与电绝缘栅极介电层26接触，并与源极22和漏极23相连通，源极22和漏极23上设有保护层27，保护层27上设有像素电极28，漏极23通过过孔与像素电极28电连接。TFT液晶显示器Array基板在生产过程种由于设备或者环境的影响会发生镀膜或者刻蚀不良，导致数据Data线路和栅极Gate线路交叉的地方短路，然后产生十字线不良，造成该产品报废从而影响了成品的良率和成本。

由此可见现有技术中存在如下问题：阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，会导致阵列基板报废的问题。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的，阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，会导致阵列基板报废的问题，提供一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器。

本发明实施例提供一种阵列基板十字线修复方法，用于修复阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，基板上的数据线和栅极线，分别和阵列基板上的薄膜晶体管的源极和栅极电连接，薄膜晶体管的漏极和像素电极电连接，包括：

分别在短路的数据线两边，切断短路的栅极线；

切断第一薄膜晶体管源极与数据线的电连接，以及第二薄膜晶体管源极与数据线的电连接，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于短路的数据线的两边，且各自栅极与短路的栅极线的电连接点，位于栅极线的两个切断点两侧；

将第一薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的漏极电连接，将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，电连接到与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。

进一步，第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管，为紧邻短路数据线的薄膜晶体管。

进一步，将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，通过公共金属线电连接，与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。

进一步，将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，通过公共金属线电连接，与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极具体为：

将与第一薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，与公共金属线电连接，将与第二薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，与公共金属线电连接；

在短路数据线两边，分别切断与像素电极电连接的公共金属线，公共金属线的两个电连接点位于，公共金属线的两个切断点之间。

进一步，公共金属线的两个切断点位于短路数据线与短路数据线紧邻的数据线之间。

进一步，电连接为激光焊接，切断为激光切割。

本发明实施例还提供一种阵列基板，阵列基板上的数据线和栅极线短路产生十字线，在短路的数据线两边，短路的栅极断路，第一薄膜晶体管源极与数据线断路，以及第二薄膜晶体管源极与数据线断路，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于短路数据线的两边，且各自栅极与短路的栅极线的电连接点，位于栅极线的两个断路点两侧，第一薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接，与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，电连接到与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。

进一步，第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管，为紧邻短路数据线的薄膜晶体管。

进一步，与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，通过公共金属线电连接，与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。

进一步，与第一薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，与公共金属线电连接，与第二薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，与公共金属线电连接，在短路数据线两边，与像素电极电连接的公共金属线断路，公共金属线的两个电连接点位于，公共金属线的两个断路点之间。

进一步，公共金属线的两个切断点位于短路数据线与短路数据线紧邻的数据线之间。

本发明实施例还提供一种液晶显示器，液晶显示器的本体上设置有如前述的阵列基板。