[发明专利]一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201210281041.3 申请日: 2012-08-08
公开(公告)号: CN102798999A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 刘超;张玉军;赵德江;杨维 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;赵爱军
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 十字 修复 方法 液晶显示器
【权利要求书】:

1.一种阵列基板十字线修复方法,用于修复阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线,基板上的数据线和栅极线,分别和阵列基板上的薄膜晶体管的源极和栅极电连接,薄膜晶体管的漏极和像素电极电连接,其特征在于,包括:

分别在短路的数据线两边,切断短路的栅极线;

切断第一薄膜晶体管源极与数据线的电连接,以及第二薄膜晶体管源极与数据线的电连接,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于短路的数据线的两边,且各自栅极与短路的栅极线的电连接点,位于栅极线的两个切断点两侧;

将第一薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接,第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的漏极电连接,将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极,电连接到与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管,为紧邻短路数据线的薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极,通过公共金属线电连接,与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极,通过公共金属线电连接,与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极具体为:

将与第一薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极,与公共金属线电连接,将与第二薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极,与公共金属线电连接;

在短路数据线两边,分别切断与像素电极电连接的公共金属线,公共金属线的两个电连接点位于,公共金属线的两个切断点之间。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,公共金属线的两个切断点位于短路数据线与短路数据线紧邻的数据线之间。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,电连接为激光焊接,切断为激光切割。

7.一种阵列基板,其特征在于,阵列基板上的数据线和栅极线短路产生十字线,其特征在于,在短路的数据线两边,短路的栅极断路,

第一薄膜晶体管源极与数据线断路,以及第二薄膜晶体管源极与数据线断路,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于短路数据线的两边,且各自栅极与短路的栅极线的电连接点,位于栅极线的两个断路点两侧,第一薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接,第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的漏极电连接,与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极,电连接到与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管,为紧邻短路数据线的薄膜晶体管。

9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极,通过公共金属线电连接,与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。

10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,与第一薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极,与公共金属线电连接,与第二薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极,与公共金属线电连接,在短路数据线两边,与像素电极电连接的公共金属线断路,公共金属线的两个电连接点位于,公共金属线的两个断路点之间。

11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,公共金属线的两个切断点位于短路数据线与短路数据线紧邻的数据线之间。

12.一种液晶显示器,其特征在于,液晶显示器的本体上设置有如权利要求7-11所述的阵列基板。

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