[发明专利]功率放大器

说明书

技术领域

本发明涉及对例如在移动通信中使用的高频信号等进行放大的功率放大器。

背景技术

专利文献1所公开的功率放大器具备具有多个场效应晶体管（FET）的芯片。为了抑制在芯片上形成闭合环路的振荡（环路振荡），在芯片内在该闭合环路中并列地形成有电阻体。该电阻体由利用外延层形成的电阻（以下，称为外延电阻）而形成。

专利文献

专利文献1：日本特开2001-148616号公报。

非专利文献

非专利文献1：W. Struble and A. Plazker, “A Rigorous Yet Simple Method For Determining Stability of Linear N-port Networks,” IEEE GaAsICSymp. Dig., pp. 251-254, 1993.

非专利文献2：S. Mons, et al. “A Unified Approach for Linear and Nonlinear Stability Analysis of Microwave Circuits Using Commercially Available Tools,” IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. vol. MTT-47, no. 12, pp. 2403-2409, 1999.

发明要解决的课题

为了吸收环路振荡的振荡功率来抑制环路振荡，优选前述的电阻体的电阻值为数欧姆～数十欧姆左右。可是，在专利文献1所公开的功率放大器中，由于以外延电阻形成电阻体，所以存在难以控制电阻体的电阻值的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述那样的课题而完成的，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。

本申请发明的功率放大器的特征在于，具备：半导体基板，形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极，形成在该半导体基板上；漏极焊盘，在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻，在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极，在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路，形成在该半导体基板的外部；以及布线，连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。

根据本发明，由于对闭合环路连接离子注入电阻，所以对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的功率放大器的电路图。

图2是表示本发明实施方式1的半导体基板和输出匹配电路的平面图。

图3是图2的III-III虚线的剖面向示图。

图4是表示以奈奎斯特判别法模拟了有无环路振荡的结果的图。

图5是表示本发明实施方式2的半导体基板和输出匹配电路的平面图。

图6是表示本发明实施方式3的半导体基板和输出匹配电路的平面图。

图7是表示本发明实施方式4的半导体基板和输出匹配电路的平面图。

具体实施方式

实施方式1.

图1是本发明实施方式1的功率放大器的电路图。功率放大器10具备半导体基板12。半导体基板12是以GaN形成的芯片。在半导体基板12形成有多个晶体管单元。多个晶体管单元是指第一晶体管单元12a、与第一晶体管单元12a相邻的第二晶体管单元12b、与第二晶体管单元12b相邻的第三晶体管单元12c、以及与第三晶体管单元12c相邻的第四晶体管单元12d。多个晶体管单元12a、12b、12c、12d以场效应晶体管（FET）形成。为了一边维持功率放大器10的高频特性一边得到高输出，多个晶体管单元12a、12b、12c、12d并联地连接在功率放大器的输入输出之间。

在多个晶体管单元12a、12b、12c、12d的栅极侧连接有输入匹配电路14。输入匹配电路14形成在半导体基板12的外部。在多个晶体管单元12a、12b、12c、12d的漏极侧连接有输出匹配电路16。输出匹配电路16形成在半导体基板12的外部。

图2是表示本发明实施方式1的半导体基板和输出匹配电路的平面图。在半导体基板12上形成有栅极RF焊盘20。栅极RF焊盘20连接于栅极引出电极22。栅极引出电极22连接于栅极馈电部（gate feed portion）24。在栅极馈电部24形成有梳齿状的栅极梳状物（gate finger）26。