[发明专利]功率放大器有效
| 申请号： | 201210274868.1 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102916662A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 三轮真一;塚原良洋;金谷康;小坂尚希 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大器 | ||
1.一种功率放大器，其特征在于，具备：
半导体基板，形成有多个晶体管单元；
所述多个晶体管单元的漏极电极，形成在所述半导体基板上；
漏极焊盘，在所述半导体基板上以与所述漏极电极连接的方式形成；
离子注入电阻，在所述半导体基板以沿着所述漏极焊盘与所述漏极焊盘相接的方式形成；
浮动电极，在所述半导体基板上以经由所述离子注入电阻与所述漏极焊盘相接的方式形成；
输出匹配电路，形成在所述半导体基板的外部；以及
布线，连接所述漏极焊盘和所述输出匹配电路。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，具备：
追加离子注入电阻，在所述半导体基板以经由所述浮动电极与所述离子注入电阻相接的方式形成；以及
追加浮动电极，在所述半导体基板上以经由所述追加离子注入电阻与所述浮动电极相接的方式形成。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
所述多个晶体管单元具有第一晶体管单元和与所述第一晶体管单元相邻的第二晶体管单元，
所述漏极焊盘具有作为所述第一晶体管单元的漏极焊盘的第一漏极焊盘和作为所述第二晶体管单元的漏极焊盘的与所述第一漏极焊盘分离形成的第二漏极焊盘，
所述第一漏极焊盘和所述第二漏极焊盘经由所述离子注入电阻连接。
4.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述离子注入电阻以延伸至所述第一漏极焊盘和所述第二漏极焊盘之间的方式形成。
5.根据权利要求1至4的任一项所述的功率放大器，其特征在于，所述半导体基板以GaN形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210274868.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：羽毛与兽毛和布组合贴画
- 下一篇：防滑环型刀
