[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210273721.0 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103578963A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768;H01L29/417;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种W金属层淀积制造方法，包括：
预热晶片；
采用ALD工艺，在晶片上沉积W成核层；
采用CVD工艺，在W成核层上沉积W金属层。
2.如权利要求1的W金属层淀积制造方法，其中，预热晶片之后、沉积W成核层之前进一步包括：采用CVD工艺，在晶片上沉积单原子硅层。
3.如权利要求1的W金属层淀积制造方法，其中，ALD工艺温度为250～350℃。
4.如权利要求1的W金属层淀积制造方法，其中，ALD工艺沉积速率为/周期～/周期。
5.如权利要求1的W金属层淀积制造方法，其中，W成核层厚度为
6.如权利要求1的W金属层淀积制造方法，其中，ALD工艺的前驱物为B2H6与WF6。
7.一种半导体器件，包括下层器件结构、下层器件结构之上的层间介质层、层间介质层中与下层器件结构接触的阻挡层/粘附层、阻挡层/粘附层上的W金属层，其特征在于：阻挡层/粘附层与W金属层之间还包括W成核层。
8.如权利要求7的半导体器件，其中，W成核层厚度为
9.如权利要求7的半导体器件，其中，阻挡层/粘附层包括Ti、Ta、TiN、TaN及其组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
