[发明专利]图像传感器感光单元及其制造方法有效
申请号: | 201210273606.3 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN102820312A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 汪辉;陈志卿;陈杰;方娜;田犁;任韬 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 感光 单元 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器感光单元,其特征在于,包括第一覆盖层、第二覆盖层和第一与第二覆盖层之间的介质层,所述介质层中进一步包括器件层和绝缘层,所述器件层和所述第一覆盖层贴合,在所述器件层中设置有至少一光电二极管,所述第二覆盖层为光入射层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器感光单元,其特征在于,所述介质层进一步包括支撑层,所述绝缘层设置在支撑层和器件层之间,所述第二覆盖层与所述支撑层贴合。
3.根据权利要求2所述的图像传感器感光单元,其特征在于,所述支撑层的厚度小于5μm。
4.根据权利要求1所述的图像传感器感光单元,其特征在于,所述第一覆盖层的材料为反射增强材料;所述第二覆盖层为增透膜,或所述第二覆盖层的材料为单面透射材料,光从介质层外到介质层内的透射率大于从介质层内到介质层外的透射率。
5.根据权利要求1或4所述的图像传感器感光单元,其特征在于,所述第一覆盖层和第二覆盖层的厚度范围均为1nm至10nm。
6.根据权利要求1所述的图像传感器感光单元,其特征在于,在所述第二覆盖层的表面进一步设置有光聚焦模块。
7.一种图像传感器感光单元的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一衬底,所述衬底包括支撑层,支撑层表面的绝缘层以及绝缘层表面的器件层;
在器件层中制作至少一光电二极管;
减薄支撑层;
在所述衬底的器件层表面形成第一覆盖层,并在与之相对的表面形成第二覆盖层。
8.根据权利要求7所述的图像传感器感光单元的制造方法,其特征在于,所述减薄支撑层的步骤中,进一步是将支撑层减薄至一厚度。
9.根据权利要求8所述的图像传感器感光单元的制造方法,其特征在于,所述支撑层减薄之后的厚度小于5μm。
10.根据权利要求7所述的图像传感器感光单元的制造方法,其特征在于,进一步包括一在所述第二覆盖层的表面形成光聚焦模块的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的