[发明专利]液晶显示装置、阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基底；

第一金属层，设置在所述基底上，用以形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极；

第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；

透明导电层，设置在所述第一绝缘层上，用以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极，且所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接；

第二绝缘层，设置在所述透明导电层上，所述第二绝缘层在对应于所述薄膜晶体管的所述源极的位置处设置有第一导通孔；

第二金属层，设置在所述第二绝缘层上，用以形成数据线，所述数据线通过所述第一导通孔与所述薄膜晶体管的源极连接；

其中，所述阵列基板进一步包括辅助电极，所述辅助电极由所述第一金属层和第二金属层中的至少之一者形成，以减小所述扫描线和/或所述数据线的阻抗。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极由所述第一金属层形成，所述辅助电极通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二导通孔与所述数据线连接，用以减小所述数据线的阻抗，所述辅助电极对应设置在所述数据线的下方，且所述辅助电极沿着所述数据线的延伸方向设置在所述扫描线和所述公共电极之间。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极由所述第二金属层形成，所述辅助电极通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三导通孔与所述扫描线连接，用以减小所述扫描线的阻抗，所述辅助电极对应设置在所述扫描线的上方，且所述辅助电极沿着所述扫描线的延伸方向设置在两相邻的所述数据线之间。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极包括第一辅助电极以及第二辅助电极，所述第一辅助电极由所述第一金属层形成，所述第二辅助电极由所述第二金属层形成，其中：

所述第一辅助电极通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二导通孔与所述数据线连接，用以减小所述数据线的阻抗，所述第一辅助电极对应设置在所述数据线的下方，且所述第一辅助电极沿着所述数据线的延伸方向设置在所述扫描线和所述公共电极之间；

所述第二辅助电极通过穿越所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三导通孔与所述扫描线连接，用以减小所述扫描线的阻抗，所述第二辅助电极对应设置在所述扫描线的上方，且所述第二辅助电极沿着所述扫描线的延伸方向设置在两相邻的所述数据线之间。

5.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底上设置第一金属层，用以形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极；

在所述第一金属层上设置第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上设置透明导电层，用以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；

在所述透明导电层上设置第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层对应于所述薄膜晶体管的所述源极的位置处设置有第一导通孔；

在所述第二绝缘层上设置第二金属层，用以形成数据线，所述数据线通过所述第一导通孔与所述薄膜晶体管的源极连接；

其中，进一步设置辅助电极，所述辅助电极由所述第一金属层和所述第二金属层中的至少之一者形成，以减小所述扫描线和/或所述数据线的阻抗。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属层上设置第一绝缘层的步骤包括：

在所述薄膜晶体管的栅极对应的所述第一绝缘层上形成一半导体层，其中，所述薄膜晶体管的源极和漏极分别与所述半导体层连接。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述辅助电极由所述第一金属层形成，在所述数据线的下方设置所述辅助电极，且所述辅助电极沿着所述数据线的延伸方向设置在所述扫描线和所述公共电极之间，通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二导通孔连接所述辅助电极与所述数据线。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述辅助电极由所述第二金属层形成，在所述扫描线的上方设置所述辅助电极，且所述辅助电极沿着所述扫描线的延伸方向设置在两相邻的所述数据线之间，通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三导通孔连接所述辅助电极与所述扫描线。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述辅助电极包括第一辅助电极以及第二辅助电极，所述第一辅助电极由所述第一金属层形成，所述第二辅助电极由所述第二金属层形成，其中：

在所述数据线的下方设置所述第一辅助电极，且所述第一辅助电极沿着所述数据线的延伸方向设置在所述扫描线和所述公共电极之间，通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二导通孔连接所述第一辅助电极与所述数据线；

在所述扫描线的上方设置所述第二辅助电极，且所述第二辅助电极沿着所述扫描线的延伸方向设置在两相邻的所述数据线之间，通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三导通孔连接所述第二辅助电极与所述扫描线。