[发明专利]炭/炭复合材料碳化硅/钼-硅-铝涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210269398.X 申请日: 2012-07-31
公开(公告)号: CN102757261A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 李贺军;李婷;史小红 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B41/90 分类号: C04B41/90
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 复合材料 碳化硅 涂层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种炭/炭复合材料碳化硅/钼-硅-铝涂层的制备方法,其特征在于涂层为双层涂层,

内涂层为SiC,外层为Mo(Si,Al),具体步骤如下:

步骤1、将炭/炭复合材料打磨抛光,在无水乙醇中超声波清洗,放入烘箱中烘干备用;

步骤2、制备SiC内涂层,具体过程是:

a.按质量分数称取60~80%的Si粉、10~20%C粉及0~20%的Al2O3粉,加入球磨罐中球磨了1~3h制成包埋粉料;

b.取所制包埋粉料的一半放入石墨坩埚,放入经步骤1处理的炭/炭复合材料,再放入另一半包埋料覆盖在炭/炭复合材料之上,加上石墨坩埚盖;

c.将石墨坩埚放入真空炉中,抽真空使真空度达到-0.09MPa,然后保真空30min以上,然后通入流量为500~600ml/min的保护性气体氩气,以5~12℃/min的速度将炉温升至2000~2300℃,保温1~3h,随后以5~11℃/min的降温速度将炉温降至1000~1200℃,关闭电源自然降温至室温,形成有SiC内涂层的炭/炭复合材料;

步骤3、制备Mo(Si,Al)2外涂层,具体过程是:

a.将50~85wt.%Si粉、0~30wt.%Mo(Si,Al)2粉及10~20wt.%C粉在球磨机中球磨混合,得到包埋原料;

b.将包埋原料和步骤c所得SiC-C/C炭/炭复合材料一起装入石墨坩埚,再将石墨坩埚放入真空炉内,抽真空使真空度达到-0.09MPa,然后保真空30min以上,然后通入流量为500~600ml/min的保护性气体氩气,以5~12℃/min的升温速度将炉温升至2000~2300℃,保温1~3h,随后以5~11℃/min的降温速度将炉温降至1000~1200℃,关闭电源自然降温至室温,最后制备出外涂层为Mo(Si,Al)2的具有双层涂层的炭/炭复合材料。

2.根据权利要求1所述的炭/炭复合材料碳化硅/钼-硅-铝涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤1中的打磨抛光分别用160号、400号砂纸打磨抛光。

3.根据权利要求1所述的炭/炭复合材料碳化硅/钼-硅-铝涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤1中的超声波清洗时间为20~30min,超声波功率为80~150W。

4.根据权利要求1所述的炭/炭复合材料碳化硅/钼-硅-铝涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤1中的烘干温度为70~90℃。

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