[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

本发明是关于一种发光二极管，且特别是关于一种可提升出光效率的发光二极管。

背景技术

随着科技的发展，各式照明技术不断创新。发光二极管为照明技术发展上的一项重要里程碑。发光二极管具有效率高、寿命长、不易破损等优点，使得发光二极管广泛地应用于各式电子装置与灯具中。

发光二极管大致可区分为以下二种：第一种为水平式发光二极管，其两个电极在发光二极管晶片的外延层同侧，且可进一步细分为以打线(wire-bounding)方式与电极连接以及以覆晶(flip-chip)方式与电极连接的两种结构；而第二种为垂直式发光二极管，其两个电极分别位于外延层的不同侧。然而，无论是何种发光二极管结构，其外延层的延伸方向都平行于电极，因此，上述发光二极管结构皆以最大的出光面面向电路板，导致出光效率的降低。再者，无论是何种发光二极管结构，皆须以外部填充胶封装发光二极管，徒增工艺成本及工时。

有鉴于此，提供一种工艺简易、成本降低且可提升出光效率的发光二极管，实为业界所亟需努力的目标。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管，此种发光二极管的出光效率高、工艺可简化且可降低成本。

为达前述目的，本发明的一实施例提供一种发光二极管，包括一侧向堆迭的半导体复合层以及一萤光基板。萤光基板包覆于半导体复合层的一侧面上。

本发明的另一实施例提供一种发光二极管，包括一侧向堆迭的半导体复合层、一第一萤光基板、一第二萤光基板、一萤光覆层、一第一电极以及一第二电极。半导体复合层包括相对的一第一半导体层与一第二半导体层及一发光层且具有相对的一顶面与一底面，其中顶面与底面是分别垂直于第一半导体层与第二半导体层且发光层是夹设于第一半导体层与第二半导体层之间。第一萤光基板包覆于第一半导体层上且第二萤光基板包覆于第二半导体层上，萤光覆层则覆盖于顶面上。第一电极设于底面上且与第一半导体层垂直连接，而第二电极设于底面上且与第二半导体层垂直连接。其中，第一萤光基板与第二萤光基板彼此连接。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例并配合附图进行详细说明。

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的发光二极管的外观图。

图1B绘示图1A中沿1B-1B’方向的剖视图。

图1A’绘示依照本发明另一实施例的发光二极管外观图。

图1B’绘示图1A’中沿1B’-1B”方向的剖视图。

图2绘示依照本发明另一实施例的发光二极管的剖面图。

图3绘示依照本发明另一实施例的发光二极管的剖面图。

主要元件符号说明：

100、100’、200、300：发光二极管

110：半导体复合层

111：第一半导体层

112：发光层

113：第二半导体层

110b：底面

110u：顶面

110s：侧面

120：第一电极

120u、130u：上表面

130：第二电极

140：萤光覆层

150、250、350：萤光基板

151、251、3521：透光基板

151s1、251s1、351s1、351s3、352s1：第一面

151s2、251s2、351s2、351s4、352s2：第二面

1511：粗糙化结构

152：萤光粒子

2511、3511：第一子透光基板

2512、3512：第二子透光基板

351：第一萤光基板

352：第二萤光基板

具体实施方式

请参照图1A，其绘示依照本发明一实施例的发光二极管100的外观图。发光二极管100包括半导体复合层110、第一电极120、第二电极130、萤光覆层140及萤光基板150。

半导体复合层110具有侧面110s及相对的顶面110u与底面110b，其中顶面110u与底面110b实质上平行，且半导体复合层110的侧面110s实质上垂直于半导体复合层110的顶面110u与底面110b，然而，由于制造公差或误差，半导体复合层110的侧面110s与顶面110u或底面110b间的夹角可略小于或略大于90度。