[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

一侧向堆迭的半导体复合层；以及

一萤光基板，包覆于该半导体复合层的一侧面上。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该萤光基板包括：

一透光基板，具有相对的一第一面与一第二面，该透光基板的该第一面与该半导体复合层的该侧面连接；以及

数个萤光粒子，分布于该透光基板内，且所述萤光粒子的分布密度自该透光基板的该第一面往该第二面递增或递减。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该萤光基板包括一透光基板，该透光基板具有相对的一第一面与一第二面，该透光基板的该第一面与该半导体复合层的该侧面连接，且该透光基板的折射率分布自该透光基板的该第一面往该第二面递增或递减。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该萤光基板包括：

一第一子透光基板，包覆于该半导体复合层的该侧面上；

一第二子透光基板，包覆于该第一子透光基板上；以及

数个萤光粒子，分布于该第一子透光基板与该第二子透光基板内，且该第二子透光基板的所述萤光粒子的分布密度大于或小于该第一子透光基板的所述萤光粒子的分布密度。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该萤光基板包括：

一第一子透光基板，包覆于该半导体复合层的该侧面；以及

一第二子透光基板，包覆于该第一子透光基板，该第二子透光基板的折射率大于或小于该第一子透光基板的折射率。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该半导体复合层具有一顶面，该半导体复合层的该顶面是垂直于该半导体复合层的该侧面，该发光二极管更包括：

一萤光覆层，覆盖于该半导体复合层的该顶面上。

7.一种发光二极管，包括：

一侧向堆迭的半导体复合层，包括相对的一第一半导体层与一第二半导体层及一发光层且具有相对的一顶面与一底面，其中该顶面与该底面是分别垂直于该第一半导体层与该第二半导体层且该发光层是夹设于该第一半导体层与该第二半导体层之间；

一第一萤光基板，包覆于该第一半导体层上；

一第二萤光基板，包覆于该第二半导体层上；

一萤光覆层，覆盖于该顶面上；

一第一电极，设于该底面上且与该第一半导体层垂直连接；以及

一第二电极，设于该底面上且与该第二半导体层垂直连接；

其中，该第一萤光基板与该第二萤光基板彼此连接。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该萤光覆层为一萤光胶层或一萤光基板。

9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该第一萤光基板与该第二萤光基板中的至少一者各包括：

一透光基板，具有相对的一第一面与一第二面，该透光基板的该第一面与该半导体复合层连接；以及

数个萤光粒子，分布于该透光基板内，且所述萤光粒子的分布密度自该透光基板的该第一面往该第二面递增或递减。

10.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该第一萤光基板与该第二萤光基板中的至少一者各包括：

一透光基板，具有相对的一第一面与一第二面，该透光基板的该第一面与该半导体复合层连接，且该透光基板的折射率分布自该透光基板的该第一面往该第二面递增或递减。

11.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该第一萤光基板与该第二萤光基板中的至少一者各包括：

一第一子透光基板，包覆于该半导体复合层上；

一第二子透光基板，包覆于该第一子透光基板上；以及

数个萤光粒子，分布于该第一子透光基板与该第二子透光基板内，且该第二子透光基板的所述萤光粒子的分布密度大于或小于该第一子透光基板的所述萤光粒子的分布密度。

12.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该第一萤光基板与该第二萤光基板中的至少一者各包括：

一第一子透光基板，包覆于该半导体复合层上；以及

一第二子透光基板，包覆于该第一子透光基板上，该第二子透光基板的折射率大于或小于该第一子透光基板的折射率。