[发明专利]一种传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种传感器，其特征在于，包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，

所述薄膜晶体管器件包括：位于衬底基板之上并与栅线连接的栅极；位于栅极之上并覆盖基板的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层之上并在栅极上方相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极与数据线连接；位于源极和漏极之上的欧姆层，以及位于欧姆层和沟道之上的有源层；

所述光电二极管传感器件包括：位于栅极绝缘层之上并与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及在透明电极的上方与透明电极连接的偏压线。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括：位于透明电极之上并覆盖基板的第一钝化层，所述第一钝化层具有第一过孔和第二过孔；所述有源层和欧姆层具有与第一过孔位置对应的第三过孔；所述数据线位于第一钝化层之上，并穿过第一过孔和第三过孔与漏极连接，所述偏压线位于第一钝化层之上，并穿过第二过孔与透明电极连接。

3.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括：位于数据线和偏压线之上并覆盖基板的第二钝化层，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。

4.如权利要求1~3任一项所述的传感器，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括：N型半导体、I型半导体第一部分、I型半导体第二部分和P型半导体，其中，

所述N型半导体位于接收电极之上且与欧姆层位于同一图层，所述I型半导体第一部分位于N型半导体之上且与有源层位于同一图层，所述I型半导体第二部分位于I型半导体第一部分之上，所述P型半导体位于I型半导体第二部分之上。

5.如权利要求4所述的传感器，其特征在于，所述源极、漏极和接收电极的材质相同；所述数据线和偏压线的材质相同。

6.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形；

形成覆盖基板的栅极绝缘层，并通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上并在栅极上方相对而置形成沟道的源极和漏极的图形、与源极连接的接收电极的图形，以及位于源极和漏极之上的欧姆层的图形；

通过一次构图工艺形成位于欧姆层和沟道之上的有源层的图形、位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；

通过一次构图工艺形成第一钝化层的图形，所述第一钝化层在漏极的上方具有第一过孔，在透明电极的上方具有第二过孔；以及有源层和欧姆层的与第一过孔位置对应的第三过孔的图形；

通过一次构图工艺形成位于第一钝化层之上、并穿过第一过孔和第三过孔与漏极连接的数据线的图形，以及位于第一钝化层之上、并穿过第二过孔与透明电极连接的偏压线的图形。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成数据线的图形和偏压线的图形之后，进一步包括：

通过一次构图工艺形成覆盖基板的第二钝化层的图形，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。

8.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、接收电极的图形和欧姆层的图形，还包括：形成位于接收电极之上且与欧姆层位于同一图层的N型半导体的图形；

所述通过一次构图工艺形成有源层的图形、光电二极管的图形和透明电极的图形，具体包括：依次沉积有源材料层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层，通过一次构图工艺形成有源层、位于N型半导体之上且与有源层位于同一图层的I型半导体第一部分、位于I型半导体第一部分之上的I型半导体第二部分、位于I型半导体第二部分之上的P型半导体，以及位于P型半导体之上的透明电极。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述源极、漏极和接收电极的材质相同；所述数据线和偏压线的材质相同。