[发明专利]一种传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种传感器，其特征在于，包括：基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线，以及由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，其中，

所述薄膜晶体管器件包括：位于基板之上并相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极与相邻的数据线连接，以及位于源极和漏极之上的欧姆层、位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层、位于有源层之上的栅极绝缘层和位于栅极绝缘层之上并与相邻的栅线连接的栅极；

所述光电二极管传感器件包括：位于基板之上并与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及位于透明电极之上的偏压电极。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述一组栅线，包括两根单栅线，以及位于两根单栅线之间的多组双栅线，则

所述每个感测单元包括两个感测子单元，两个感测子单元的薄膜晶体管器件呈对角分布，且薄膜晶体管器件的栅极与相邻的单栅线或者相邻的双栅线中距离较近的一根连接。

3.如权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括：位于接收电极之上的N型半导体，位于N型半导体之上的I型半导体，以及位于I型半导体之上的P型半导体。

4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述欧姆层和N型半导体的材质相同；所述栅线、栅极和偏压电极的材质相同。

5.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括：位于一组栅线，及每个感测单元的栅极和偏压电极之上并覆盖基板的钝化层，所述钝化层具有信号引导区过孔。

6.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上通过一次构图工艺形成数据线的图形、与数据线连接的漏极的图形、与漏极相对而置形成沟道的源极的图形、与源极连接的接收电极的图形，以及位于源极和漏极之上的欧姆层的图形；

通过一次构图工艺形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；

通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形；

通过一次构图工艺形成位于有源层之上的栅极绝缘层的图形；

通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上的栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形和位于透明电极之上的偏压电极的图形。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成栅线的图形、栅极的图形和偏压电极的图形之后，进一步包括：

通过一次构图工艺形成位于栅线、栅极和偏压电极之上并覆盖基板的钝化层的图形，所述钝化层具有信号引导区过孔。

8.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括N型半导体、I型半导体和P型半导体，则所述通过一次构图工艺形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形，具体包括：

依次沉积N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层，通过一次构图工艺形成光电二极管的图形和透明电极的图形。

9.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括N型半导体、I型半导体和P型半导体，所述欧姆层和N型半导体的材质相同，则

在基板上通过一次构图工艺形成数据线的图形、与数据线连接的漏极的图形、与漏极相对而置形成沟道的源极的图形、与源极连接的接收电极的图形，以及位于源极和漏极之上的欧姆层的图形的同时，形成位于接收电极之上的N型半导体的图形；

所述通过一次构图工艺形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形，具体包括：依次沉积I型半导体层、P型半导体层和透明电极层，通过一次构图工艺形成光电二极管的图形和透明电极的图形。

10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述栅线、栅极和偏压电极的材质相同。