[发明专利]太阳能电池

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及太阳能电池。

背景技术

近年来，因为预期诸如石油和煤这样的现有能源将耗尽，所以对于用来代替现有能源的可选的能源的兴趣正在增加。在可选的能源中，用于从太阳能生成电能的太阳能电池已经被特别地关注。

太阳能电池一般包括半导体部和电极，其中，所述半导体部分别具有不同的导电类型，例如p型和n型并且因此形成p-n结，所述电极分别连接到不同导电类型的半导体部。

当光入射在太阳能电池上时，在半导体部中产生包括电子和空穴的载流子。载流子在p-n结的影响下向n型半导体部和p型半导体部移动。即，电子向n型半导体部移动，空穴向p型半导体部移动。然后，由分别连接到n型半导体部和p型半导体部的不同的电极收集电子和空穴。电极利用电线彼此连接以由此获得电功率。

发明内容

在一个方面，提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底、与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起形成p-n结的发射极区、位于所述发射极区上的抗反射层、电连接到所述发射极区的前电极部和电连接到所述衬底的背电极部，其中，所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域，并且其中，位于所述第一区域中的抗反射层的厚度小于位于所述第二区域中的抗反射层的厚度。

位于第一区域中的抗反射层的厚度可以为位于第二区域中的抗反射层的厚度的大约60%到80%。

在所述第一区域中的所述衬底的入射表面可以包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述第二区域中的所述衬底的入射表面可以不包括具有角锥形状的不平坦部分。在所述衬底的所述第一区域中的角锥形状的所述多个不平坦部分的上顶点之间的距离可以等于或小于大约3μm，并且角锥形状的所述多个不平坦部分的每一个的高度可以等于或小于大约4μm。

在所述衬底的第一区域中的发射极区的入射表面可以包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述衬底的第二区域中的发射极区的入射表面可以不包括具有角锥形状的不平坦部分。在所述衬底的第一区域中的发射极区的厚度可以基本上等于在所述衬底的第二区域中的发射极区的厚度。

在所述衬底的第一区域中的抗反射层的入射表面可以包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述衬底的第二区域中的抗反射层的入射表面可以不包括具有角锥形状的不平坦部分。

所述抗反射层可以包括第一抗反射层和第二抗反射层，所述第一抗反射层直接位于发射极区上，并且所述第二抗反射层直接位于所述第一抗反射层上。

在所述第一区域中的所述抗反射层可以具有大约70nm到110nm的厚度，并且在所述第二区域中的所述抗反射层具有大约100nm到140nm的厚度。

在所述第一区域中的第一抗反射层的厚度可以为大约30nm到50nm，并且在所述第一区域中的第二抗反射层的厚度可以为大约40nm到60nm并且大于在所述第一区域中的第一抗反射层的厚度。在所述第二区域中的第一抗反射层的厚度可以为大约40nm到60nm，并且在所述第二区域中的第二抗反射层的厚度可以为大约60nm到80nm。

在所述第一区域中的第一抗反射层的折射率可以基本上等于在所述第二区域中的第一抗反射层的折射率，并且在所述第一区域中的第二抗反射层的折射率可以基本上等于在所述第二区域中的第二抗反射层的折射率。

所述第一抗反射层的折射率可以大于所述第二抗反射层的折射率。例如，所述第一抗反射层的折射率可以为大约2.1到2.3，并且所述第二抗反射层的折射率可以为大约1.75到1.9。

所述抗反射层可以由氮化硅形成。

所述第一抗反射层和所述第二抗反射层可以由氮化硅形成。

所述衬底的第二区域可以比所述衬底的第一区域更加平滑。

位于所述衬底的第二区域中的所述发射极区的入射表面可以比位于所述衬底的第一区域中的所述发射极区的入射表面更加平滑。位于所述衬底的第二区域中的所述抗反射层的入射表面可以比位于所述衬底的所述第一区域中的所述抗反射层的入射表面更加平滑。

所述前电极部可以形成在所述第一区域和所述第二区域上。

附图说明

被包括以提供对本发明的进一步理解并且被合并在本申请文件中以构成其一部分的附图例示了本发明的实施方式，并且与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：

图1是根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的局部透视图；

图2是沿着图1的线II-II截取的横截面视图；