[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

第一导电类型的衬底；

与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区，该发射极区与所述衬底一起地形成p-n结；

位于所述发射极区上的抗反射层；

电连接到所述发射极区的前电极部；和

电连接到所述衬底的背电极部；

其中，所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域，并且

其中，位于所述第一区域中的所述抗反射层的厚度小于位于所述第二区域中的所述抗反射层的厚度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，位于所述第一区域中的所述抗反射层的厚度为位于所述第二区域中的所述抗反射层的厚度的大约60%到80%。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，在所述第一区域中的所述衬底的入射表面包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述第二区域中的所述衬底的入射表面不包括具有角锥形状的不平坦部分。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的所述第一区域中的角锥形状的所述多个不平坦部分的上顶点之间的距离等于或小于大约3μm，并且角锥形状的所述多个不平坦部分中的每一个的高度等于或小于大约4μm。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的所述第一区域中的所述发射极区的入射表面包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述衬底的所述第二区域中的所述发射极区的入射表面不包括具有角锥形状的不平坦部分。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的所述第一区域中的所述发射极区的厚度基本上等于在所述衬底的所述第二区域中的所述发射极区的厚度。

7.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的所述第一区域中的所述抗反射层的入射表面包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述衬底的所述第二区域中的所述抗反射层的入射表面不包括具有角锥形状的不平坦部分。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，在所述第一区域中的所述抗反射层具有大约70nm到110nm的厚度，并且在所述第二区域中的所述抗反射层具有大约100nm到140nm的厚度。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述抗反射层包括第一抗反射层和第二抗反射层，所述第一抗反射层直接位于所述发射极区上，并且所述第二抗反射层直接位于所述第一抗反射层上。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，在所述第一区域中的所述第一抗反射层的厚度为大约30nm到50nm，并且在所述第一区域中的所述第二抗反射层的厚度为大约40nm到60nm并且大于在所述第一区域中的所述第一抗反射层的厚度。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，在所述第二区域中的所述第一抗反射层的厚度为大约40nm到60nm，并且在所述第二区域中的所述第二抗反射层的厚度为大约60nm到80nm。

12.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，在所述第一区域中的所述第一抗反射层的折射率基本上等于在所述第二区域中的所述第一抗反射层的折射率，并且在所述第一区域中的所述第二抗反射层的折射率基本上等于在所述第二区域中的所述第二抗反射层的折射率。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中，所述第一抗反射层的折射率大于所述第二抗反射层的折射率。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，所述第一抗反射层的折射率为大约2.1到2.3，并且所述第二抗反射层的折射率为大约1.75到1.9。

15.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第一抗反射层和所述第二抗反射层由氮化硅形成。

16.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述抗反射层由氮化硅形成。

17.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述衬底的所述第二区域比所述衬底的所述第一区域更加平滑。

18.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，位于所述衬底的所述第二区域中的所述发射极区的入射表面比位于所述衬底的所述第一区域中的所述发射极区的入射表面更加平滑。