[发明专利]晶圆传送装置控制电路、晶圆传送装置以及光刻设备有效
申请号: | 201210261991.X | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102751223A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 张俊杰;曹圣豪 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;G03F7/20;G05B19/04 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送 装置 控制电路 以及 光刻 设备 | ||
1.一种晶圆传送装置控制电路,用于控制晶圆传送装置内的真空信号及其供给,其特征在于所述晶圆传送装置控制电路包括:第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第一运算放大器以及第二运算放大器;
其中,所述第一电阻器的一端连接至第一晶圆传送真空基准信号,所述第一电阻器的另一端连接所述第一运算放大器的反向输入端;所述第二电阻器的一端连接至所述第一运算放大器的反向输入端,所述第二电阻器的另一端连接至所述第一运算放大器的输出端;所述第三电阻器的一端连接至第二晶圆传送真空基准信号,所述第三电阻器的另一端连接所述第一运算放大器的正向输入端;所述第四电阻器的一端连接所述第一运算放大器正向输入端,所述第四电阻器的另一端接地;所述第一运算放大器的输出端连接至所述第二运算放大器的正向输入端;所述第二运算放大器的反向输入端连接至所述第二运算放大器的输出端;所述第二运算放大器的输出端还连接至所述第五电阻器的一端,所述第五电阻器的另一端连接至所述第六电阻器的一端;所述第六电阻器的另一端作为所述晶圆传送装置控制电路的输出端;
并且所述晶圆传送装置控制电路还包括:可调电阻器,其中所述可调电阻器的两个固定端分别连接至所述第五电阻器的两端;并且其中,通过控制所述可调电阻器的阻值调节端来调节与所述第五电阻器并联的有效电阻值的大小。
2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置控制电路,其特征在于,在晶圆传送装置中的机械臂上产生的真空电压信号低于阈值电压信号的情况下,通过控制所述可调电阻器的阻值调节端来调节与所述第五电阻器并联的有效电阻值的大小。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆传送装置控制电路,其特征在于,在晶圆传送装置中的机械臂上产生的真空电压信号等于或者高于阈值电压信号的情况下,不通过控制所述可调电阻器的阻值调节端来调节与所述第五电阻器并联的有效电阻值的大小。
4.根据权利要求1或2所述的晶圆传送装置控制电路,其特征在于,第一电阻器R181的阻值为47k欧姆;第二电阻器R182的阻值为47k欧姆;第三电阻器R183的阻值为47k欧姆;第四电阻器R184的阻值为47k欧姆;第五电阻器R185的阻值为22k欧姆;第六电阻器R186的阻值为33k欧姆。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆传送装置控制电路,其特征在于,所述可调电阻器R1的最大阻值为50k欧姆。
6.一种采用了根据权利要求1至5所述的晶圆传送装置控制电路的晶圆传送装置。
7.一种采用了根据权利要求6所述的晶圆传送装置的光刻设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造