[发明专利]TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法

权利要求书

1.一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：

在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；

其特征在于，形成所述保护绝缘层包括：

形成第一薄层氮化硅；

在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；

其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述保护绝缘层上形成过孔和/或公共电极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成第一薄层氮化硅时硅烷气体的流量小于所述形成第二层氮化硅时硅烷气体的流量。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一薄层氮化硅的厚度为100~200埃，所述第二层氮化硅的厚度为2400~5800埃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成第一薄层氮化硅包括：

采用化学气相沉积方法在所述源漏电极之上形成第一薄层氮化硅，其中氨气流量为700~800sccm，硅烷气体流量为40~60sccm，腔室压强为1400~1600Pa，电源功率为600~800W，沉积时间为10~15s。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二层氮化硅包括第一分层氮化硅、第二分层氮化硅以及第三分层氮化硅，所述在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅，包括：

步骤A：在所述第一薄层氮化硅上形成第一分层氮化硅；

步骤B：在所述第一分层氮化硅之上形成第二分层氮化硅；

步骤C：在所述第二分层氮化硅之上形成第三分层氮化硅；

其中，所述步骤A中的腔室压强小于所述步骤B中的腔室压强，所述步骤B中的腔室压强小于所述步骤C的腔室压强，且执行所述步骤A的时间大于执行所述步骤B的时间，执行所述步骤B的时间大于执行所述步骤C的时间。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

所述步骤A、步骤B和步骤C中的所述硅烷气体的流量相同，且所述步骤A、步骤B和步骤C中的所述氨气的流量相同。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，形成所述源漏电极前，还包括：

对所述像素电极执行退火操作。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述对所述像素电极执行退火操作包括：

将形成所述像素电极后的所述玻璃基板置于退火炉中，在氮气气氛中温度在200~250℃范围内退火30~60mins。