[发明专利]静电保护结构有效

申请号：	201210253787.3	申请日：	2012-07-20
公开（公告）号：	CN103579218A	公开（公告）日：	2014-02-12
发明（设计）人：	王邦麟;苏庆	申请（专利权）人：	上海华虹NEC电子有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	丁纪铁
地址：	201206 上***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	静电保护结构
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种静电保护结构。

背景技术

静电对于电子产品的伤害一直是不易解决的问题，尤其是在高频电路的应用中。为了不影响产品的正常工作性能，电路的输入输出端口不仅需要静电保护器件具有较强的电流泻放能力，又需要其本身的寄生电容尽可能小。现如今较为常见的高频电路，其输入输出端口的静电保护器件多为二极管。如图1所示，其寄生总电容为输出/入端口到电源与地之间的电容总和。当有静电发生时，N+/P阱二极管用于泻放从地到输入输出端口的正向电流，P+/N阱二极管用于泻放输出/入端口到电源的正向电流。但现有的静电保护结构输出/入端口到电源与地之间的电容总和较大影响高频电路的工作性能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种静电保护结构，该静电保护结构在不影响静电保护能力的条件下，相比较现有的二极管静电保护结构，能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容，减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响，适应射频电路的设计需求。

为解决上述技术问题，本发明的静电保护结构，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；

所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位,其N+扩散区通过金属连线与所述多晶硅二极管的一矩形P+扩散区相连；

所述多晶硅二极管包括：形成在P-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两个N+扩散区；所述P+扩散区分列于所述N+扩散区两侧，其中一P+扩散区为矩形，另一P+扩散区呈由靠近N+扩散区向远离N+扩散区方向宽度逐渐增加的阶梯形结构；所述N+扩散区在靠近阶梯形P+扩散区的一侧形成与阶梯形P+扩散区相对应的阶梯形结构；所述N+扩散区通过金属连线并连后接电源电位，所述阶梯形P+扩散区通过金属连线接输出/入端口。

其中，所述多晶硅二极管具有一中心剖线b-b,所述阶梯形P+扩散区沿中心剖线b-b呈对称分布。

一种静电保护结构，包括：一P+/N阱二极管和一多晶硅二极管；

所述P+/N阱二极管其N阱通过N+扩散区连接电源电位,其P+扩散区通过金属连线与所述多晶硅二极管的一矩形N+扩散区相连；

所述多晶硅二极管包括：形成在N-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两个N+扩散区；所述N+扩散区分列于所述P+扩散区两侧，其中一N+扩散区为矩形，另一N+扩散区呈由靠近P+扩散区向远离P+扩散区方向宽度逐渐增加的阶梯形结构；所述P+扩散区在靠近阶梯形N+扩散区的一侧形成与阶梯形N+扩散区相对应的阶梯形结构；所述P+扩散区通过金属连线并连后接地电位，所述阶梯形N+扩散区通过金属连线接输出/入端口。

其中，所述多晶硅二极管具有一中心剖线c-c,所述阶梯形N+扩散区沿中心剖线c-c呈对称分布。

本发明的静电保护结构在不影响静电保护能力的条件下，相比较现有的二极管静电保护结构，能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容，减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响，适应射频电路的设计需求。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是一种现有的二极管静电保护结构示意图。

图2是本发明第一实施例的示意图。

图3是本发明第二实施例的示意图。

图4是本发明第一实施例工作时静电释放路径示意图一。

图5是本发明第一实施例工作时静电释放路径示意图二。

图6是本发明第一实施例工作时的等效电容示意图。

附图标记说明

1是N+/P阱二极管的P阱